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1. (WO2018043894) NANOSTRUCTURE COMPOSITE COEUR-ÉCORCE À BASE DE MÉTAL ET D'OXYDE DE GRAPHÈNE (GO), DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE À RÉSISTANCE VARIABLE COMPRENANT CELLE-CI, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/043894 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/006697
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 26.06.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
이화여자대학교 산학협력단 EWHA UNIVERSITY - INDUSTRY COLLABORATION FOUNDATION [KR/KR]; 서울시 서대문구 이화여대길 52 (대현동, 이화여자대학교) (Daehyeon-dong, Ewha Womans University), 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu Seoul 03760, KR
Inventeurs :
김동하 KIM, Dong Ha; KR
박철민 PARK, Cheolmin; KR
라니아딜라 RANI, Adila; KR
김한기 KIM, Richard Hahnkee; KR
Mandataire :
특허법인 엠에이피에스 MAPS INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 서울특별시 강남구 테헤란로8길 37, 8층 (역삼동, 한동빌딩) (Yeoksam-dong, Handong Bldg.), 8F 37, Teheran-ro 8-gil Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-011211231.08.2016KR
Titre (EN) METAL-GO CORE-SHELL COMPOSITE NANOSTRUCTURE, NONVOLATILE VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY DEVICE
(FR) NANOSTRUCTURE COMPOSITE COEUR-ÉCORCE À BASE DE MÉTAL ET D'OXYDE DE GRAPHÈNE (GO), DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE À RÉSISTANCE VARIABLE COMPRENANT CELLE-CI, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À MÉMOIRE
(KO) 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 이를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법
Abrégé :
(EN) The present application relates to a metal-GO core-shell composite nanostructure, a nonvolatile variable resistance memory device comprising the metal-GO core-shell composite nanostructure, and a method for manufacturing the memory device.
(FR) L'invention concerne une nanostructure composite coeur-écorce à base de métal et de GO, un dispositif à mémoire non volatile à résistance variable comprenant la nanostructure composite, et un procédé de fabrication du dispositif à mémoire.
(KO) 본원은, 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 상기 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)