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1. (WO2018043888) ÉLÉMENT D'ÉTANCHÉITÉ DE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE FILM, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUÉ À L'AIDE DE CELUI-CI, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/043888 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/006526
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 21.06.2017
CIB :
H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
Déposants :
삼성에스디아이 주식회사 SAMSUNG SDI CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 용인시 기흥구 공세로 150-20 150-20, Gongse-ro, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 17084, KR
Inventeurs :
권기혁 KWON, Ki Hyeok; KR
이윤만 LEE, Yoon Man; KR
Mandataire :
특허법인 아주 AJU INTERNATIONAL LAW & PATENT GROUP; 서울시 서초구 사임당로 174, 강남미래타워 12-13층 12-13th Floor, Gangnam Mirae Tower, 174 Saimdang- Ro Seocho-Gu Seoul 06627, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-011084630.08.2016KR
Titre (EN) FILM TYPE SEMICONDUCTOR SEALING MEMBER, SEMICONDUCTOR PACKAGE MANUFACTURED USING SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT D'ÉTANCHÉITÉ DE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE FILM, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUÉ À L'AIDE DE CELUI-CI, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 필름형 반도체 밀봉 부재, 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 및 그 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a film type semiconductor sealing member, a semiconductor package manufactured using the same, and a manufacturing method therefor, the member comprising: a first layer made of a glass woven fabric; a second layer formed on the first layer and including a first epoxy resin and a first inorganic filler; and a third layer formed under the first layer and including a second epoxy resin and a second inorganic filler, wherein the third layer is thicker than the second layer.
(FR) La présente invention concerne un élément d'étanchéité de semi-conducteur de type film, un boîtier de semi-conducteur fabriqué à l'aide de celui-ci, et un procédé de fabrication, l'élément comprenant : une première couche constituée d'un tissu de verre tissé; une seconde couche formée sur la première couche et comprenant une première résine époxy et une première matière de charge inorganique; et une troisième couche formée sous la première couche et comprenant une deuxième résine époxy et une deuxième matière de charge inorganique, la troisième couche étant plus épaisse que la deuxième couche.
(KO) 본 발명은, 유리 직물로 이루어진 제1층; 상기 제1층의 상부에 형성되고, 제1에폭시 수지 및 제1무기 충전제를 포함하는 제2층; 상기 제1층의 하부에 형성되고, 제2에폭시 수지 및 제2무기 충전제를 포함하는 제3층을 포함하며, 상기 제3층의 두께가 상기 제2층의 두께보다 두꺼운 필름형 반도체 밀봉 부재, 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)