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1. (WO2018043702) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE, CAPTEUR MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2018/043702 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031567
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 01.09.2017
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01F 10/30 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26
caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30
caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
Inventeurs :
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
Mandataire :
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-17199502.09.2016JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE, CAPTEUR MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子、磁気センサ及び磁気メモリ
Abrégé :
(EN) This magnetoresistive effect element comprises: a first ferromagnetic metal layer; a second ferromagnetic metal layer; and a tunnel barrier layer that is arranged between the first ferromagnetic metal layer and the second ferromagnetic metal layer. The tunnel barrier layer has a cubic crystal structure; the first ferromagnetic metal layer or the second ferromagnetic metal layer is configured from a material represented by Fe2CoSi and having a cubic crystal structure; and the crystal plane of a crystal that constitutes the tunnel barrier layer and the crystal plane of a crystal that constitutes the first ferromagnetic metal layer or the second ferromagnetic metal layer are matched at an angle of 0° or 45° in at least a part of the crystal interface between the tunnel barrier layer and the first ferromagnetic metal layer or the second ferromagnetic metal layer.
(FR) La présente invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comprenant : une première couche métallique ferromagnétique ; une seconde couche métallique ferromagnétique ; et une couche barrière à effet tunnel disposée entre la première couche métallique ferromagnétique et la seconde couche métallique ferromagnétique. La couche barrière à effet tunnel possède une structure cristalline cubique ; la première couche métallique ferromagnétique ou la seconde couche métallique ferromagnétique est conçue à partir d'un matériau représenté par Fe2CoSi et possédant une structure cristalline cubique ; et le plan cristallin d'un cristal qui constitue la couche barrière à effet tunnel et le plan cristallin d'un cristal qui constitue la première couche métallique ferromagnétique ou la seconde couche métallique ferromagnétique sont mis en correspondance à un angle de 0° ou 45° dans au moins une partie de l'interface cristalline entre la couche barrière à effet tunnel et la première couche métallique ferromagnétique ou la seconde couche métallique ferromagnétique.
(JA) この磁気抵抗効果素子は、第1強磁性金属層と、第2強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層と前記第2強磁性金属層との間に設けられたトンネルバリア層とを有し、前記トンネルバリア層は立方晶の結晶構造を有し、前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層は、FeCoSiで表される立方晶の結晶構造を有する材料により構成され、前記トンネルバリア層と前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層との結晶界面の少なくとも一部において、前記トンネルバリア層を構成する結晶の結晶面と、前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層を構成する結晶の結晶面とが、0°又は45°傾いて整合している。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)