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1. WO2018043702 - ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE, CAPTEUR MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2018/043702
Date de publication 08.03.2018
N° de la demande internationale PCT/JP2017/031567
Date du dépôt international 01.09.2017
CIB
H01L 43/10 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10Emploi de matériaux spécifiés
G01R 33/09 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/30 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
26caractérisées par le substrat ou par les couches intermédiaires
30caractérisées par la composition des couches intermédiaires
H01L 21/8239 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
H01L 27/105 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
82commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
CPC
G01R 33/09
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
G01R 33/098
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
098comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
H01F 10/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
26characterised by the substrate or intermediate layers
30characterised by the composition of the intermediate layers ; , e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
H01F 10/3254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3254the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
H01F 10/3286
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3286Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
H01L 21/8239
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8239Memory structures
Déposants
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
  • 荒 則彦 ARA Norihiko
  • 飯田 雅人 IIDA Masato
  • 荻野 彰広 OGINO Akihiro
Données relatives à la priorité
2016-17199502.09.2016JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE, CAPTEUR MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子、磁気センサ及び磁気メモリ
Abrégé
(EN) This magnetoresistive effect element comprises: a first ferromagnetic metal layer; a second ferromagnetic metal layer; and a tunnel barrier layer that is arranged between the first ferromagnetic metal layer and the second ferromagnetic metal layer. The tunnel barrier layer has a cubic crystal structure; the first ferromagnetic metal layer or the second ferromagnetic metal layer is configured from a material represented by Fe2CoSi and having a cubic crystal structure; and the crystal plane of a crystal that constitutes the tunnel barrier layer and the crystal plane of a crystal that constitutes the first ferromagnetic metal layer or the second ferromagnetic metal layer are matched at an angle of 0° or 45° in at least a part of the crystal interface between the tunnel barrier layer and the first ferromagnetic metal layer or the second ferromagnetic metal layer.
(FR) La présente invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comprenant : une première couche métallique ferromagnétique ; une seconde couche métallique ferromagnétique ; et une couche barrière à effet tunnel disposée entre la première couche métallique ferromagnétique et la seconde couche métallique ferromagnétique. La couche barrière à effet tunnel possède une structure cristalline cubique ; la première couche métallique ferromagnétique ou la seconde couche métallique ferromagnétique est conçue à partir d'un matériau représenté par Fe2CoSi et possédant une structure cristalline cubique ; et le plan cristallin d'un cristal qui constitue la couche barrière à effet tunnel et le plan cristallin d'un cristal qui constitue la première couche métallique ferromagnétique ou la seconde couche métallique ferromagnétique sont mis en correspondance à un angle de 0° ou 45° dans au moins une partie de l'interface cristalline entre la couche barrière à effet tunnel et la première couche métallique ferromagnétique ou la seconde couche métallique ferromagnétique.
(JA) この磁気抵抗効果素子は、第1強磁性金属層と、第2強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層と前記第2強磁性金属層との間に設けられたトンネルバリア層とを有し、前記トンネルバリア層は立方晶の結晶構造を有し、前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層は、FeCoSiで表される立方晶の結晶構造を有する材料により構成され、前記トンネルバリア層と前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層との結晶界面の少なくとも一部において、前記トンネルバリア層を構成する結晶の結晶面と、前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層を構成する結晶の結晶面とが、0°又は45°傾いて整合している。
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