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1. (WO2018043680) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE FER/PLATINE DISPERSÉE DANS UN MATÉRIAU NON MAGNÉTIQUE
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N° de publication :    WO/2018/043680    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/031469
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01), C22C 5/04 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01), C22C 38/00 (2006.01), G11B 5/64 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01), B22F 3/14 (2006.01), B22F 3/15 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 1-2,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : SATO,Atsushi; (JP).
TAKAMI,Hideo; (JP).
NAKAMURA,Yuichiro; (JP)
Mandataire : AXIS PATENT INTERNATIONAL; Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-172291 02.09.2016 JP
Titre (EN) NON-MAGNETIC MATERIAL-DISPERSED Fe-Pt SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE FER/PLATINE DISPERSÉE DANS UN MATÉRIAU NON MAGNÉTIQUE
(JA) 非磁性材料分散型Fe-Pt系スパッタリングターゲット
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a sputtering target which enables decrease in the heat treatment temperature for ordering an Fe-Pt magnetic phase, and which is suppressed in generation of particles during the sputtering. A non-magnetic material-dispersed sputtering target which contains Fe, Pt and Ge, and which has a magnetic phase satisfying a composition represented by (Fe1-αPtα)1-βGeβ (wherein α and β represent numbers satisfying 0.35 ≤ α ≤ 0.55 and 0.05 ≤ β ≤ 0.2) with respect to Fe, Pt and Ge in terms of an atomic ratio, and wherein the magnetic phase is configured such that the ratio of the average area ratio (SGe30mass%) of a Ge-based alloy phase having a Ge concentration of 30% by mass or more to the area ratio (SGe) of Ge as calculated from the overall composition of the sputtering target, namely SGe30mass%/SGe is 0.5 or less in the element mapping of a polished surface by means of EPMA if a cross-section perpendicular to the sputtering surface of the sputtering target is polished.
(FR)Cette invention concerne une cible de pulvérisation qui permet de réduire la température de traitement thermique pour commander une phase magnétique Fe-Pt, et qui est supprimée lors de la génération de particules pendant la pulvérisation. Une cible de pulvérisation dispersée dans un matériau non magnétique qui contient du Fe, du Pt et du Ge, et qui possède une phase magnétique satisfaisant une composition représentée par (Fe1-alphaPtalpha)1-bêtaGebêta (où alpha et bêta représentent des nombres satisfaisant 0,35 ≤ alpha ≤ 0,55 et 0,05 ≤ bêta ≤ 0,2) par rapport au Fe, au Pt et au Ge en termes de rapport atomique, et la phase magnétique étant configurée de telle sorte que le rapport du rapport de surface moyen (SGe30%en_masse) d'une phase d'alliage à base de Ge ayant une concentration de Ge de 30 % en masse ou plus au rapport de surface (SGe) du Ge tel que calculé à partir de la composition globale de la cible de pulvérisation, à savoir SGe30%en_masse/SGe est inférieur ou égal à 0,5 dans la cartographie d'éléments par microanalyse par électrons d'une surface polie si une section transversale perpendiculaire à la surface de pulvérisation de la cible de pulvérisation est polie.
(JA)Fe-Pt磁性相を規則化するための熱処理温度を低下させることが可能なスパッタリングターゲットであって、スパッタ時にパーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲットを提供する。Fe、Pt及びGeを含有する非磁性材料分散型のスパッタリングターゲットであって、Fe、Pt及びGeについて原子数比で(Fe1-αPtα1-βGeβ(α、βは、0.35≦α≦0.55、0.05≦β≦0.2を満たす数)で表される組成を満足する磁性相を有し、該磁性相は、スパッタリングターゲットのスパッタ面に対する垂直断面を研磨したときの研磨面のEPMAによる元素マッピングにおいて、Geの濃度が30質量%以上であるGe基合金相の面積比率(SGe30質量%)の平均の、スパッタリングターゲットの全体組成から計算されるGeの面積比率(SGe)に対する割合(SGe30質量%/SGe)が、0.5以下であるスパッタリングターゲット。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)