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Observations et contact
1. (WO2018043610) SYSTÈME DE FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES, CIRCUIT D’ENTRÉE HAUTE FRÉQUENCE, ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
Données bibliographiques PCT
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N° de publication :
WO/2018/043610
N° de la demande internationale :
PCT/JP2017/031271
Date de publication :
08.03.2018
Date de dépôt international :
30.08.2017
CIB :
H03H 9/64
(2006.01) ,
H03H 7/01
(2006.01) ,
H03H 9/145
(2006.01)
H
ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
H
ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7
Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
01
Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence
H
ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
[JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
野阪 浩司 NOSAKA, Koji
; JP
Mandataire :
吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi
; JP
傍島 正朗 SOBAJIMA, Masaaki
; JP
Données relatives à la priorité :
2016-172272
02.09.2016
JP
Titre
(EN)
ACOUSTIC WAVE FILTER DEVICE, HIGH-FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT, AND COMMUNICATION APPARATUS
(FR)
SYSTÈME DE FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES, CIRCUIT D’ENTRÉE HAUTE FRÉQUENCE, ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA)
弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abrégé :
(EN)
A filter (10) has a serial arm resonator (s1) connected to a path connecting an input-output terminal (11m) and an input-output terminal (11n), and has a parallel arm resonator (p1) and a parallel arm resonator (p2) that are connected between the same node (x1) on said path and ground, wherein: the parallel arm resonator (p1) has a resonant frequency lower than that of the parallel arm resonator (p2); the parallel arm resonator (p1) has an anti-resonance frequency lower than that of the parallel arm resonator (p2); the parallel arm resonator (p1) is formed of an acoustic wave resonator and has an IDT electrode (121) for exciting acoustic waves and a reflector (122) for reflecting the acoustic waves excited by the IDT electrode (121); and, when the wavelength of an acoustic wave determined by an electrode cycle of the IDT electrode (121) is defined as λ, the pitch between the IDT electrode (121) and the reflector (122) is not less than 0.42λ but less than 0.50λ.
(FR)
Filtre (10) comprenant un résonateur de branche série (s1) monté dans un trajet reliant une première borne d'entrée-sortie (11m) à une seconde borne d'entrée-sortie (11n), ainsi qu’un premier résonateur de branche parallèle (p1) et un second résonateur à branches parallèles (p2) qui sont montés entre le même noeud (x1) dudit trajet et la terre. Le premier résonateur de branche parallèle (p1) présente une fréquence de résonance inférieure à celle du second résonateur de branche parallèle (p2). Le premier résonateur de branche parallèle (p1) présente une fréquence d'antirésonance inférieure à celle du second résonateur de bras parallèle (p2). Le premier résonateur de bras parallèle (p1) est constitué d'un résonateur à ondes acoustiques et comprend une électrode interdigitée (IDT) (121) pour exciter des ondes acoustiques et un réflecteur (122) pour réfléchir les ondes acoustiques excitées par l'électrode IDT (121). Lorsque la longueur d'onde d'une onde acoustique déterminée par un cycle d'électrode de l'électrode IDT (121) est définie par λ, l’écartement entre l'électrode IDT (121) et le réflecteur (122) est au minimum de 0,42λ et au maximum de 050λ.
(JA)
フィルタ(10)は、入出力端子(11m)と入出力端子(11n)とを結ぶ経路上に接続された直列腕共振子(s1)と、当該経路上の同一ノード(x1)とグランドとの間に接続された並列腕共振子(p1)及び並列腕共振子(p2)と、を有し、並列腕共振子(p1)における共振周波数は、並列腕共振子(p2)における共振周波数よりも低く、並列腕共振子(p1)における反共振周波数は、並列腕共振子(p2)における反共振周波数よりも低く、並列腕共振子(p1)は、弾性波共振子からなり、弾性波を励振するIDT電極(121)と、IDT電極(121)で励振された弾性波を反射する反射器(122)と、を有し、IDT電極(121)の電極周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、IDT電極(121)と反射器(122)とのピッチが0.42λ以上かつ0.50λ未満である。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)