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1. (WO2018043523) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE BORE ET D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE PHOSPHORE
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N° de publication : WO/2018/043523 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/031053
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 30.08.2017
CIB :
H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/223 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
223
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068
les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
パナソニックプロダクションエンジニアリング株式会社 PANASONIC PRODUCTION ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府門真市松葉町2番7号 2-7, Matsuba-cho, Kadoma-shi, Osaka 5718502, JP
Inventeurs :
加藤 太司 KATO, Futoshi; --
青野 亮太 AONO, Ryota; --
合田 晋二 GODA, Shinji; --
Mandataire :
鷲田 公一 WASHIDA, Kimihito; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16883831.08.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING BORON DIFFUSION LAYER AND PHOSPHORUS DIFFUSION LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE BORE ET D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE PHOSPHORE
(JA) ボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法
Abrégé :
(EN) The present invention addresses the problem of suppressing the production cost of a bifacial solar cell, thereby improving the productivity. A method for forming a boron diffusion layer 3 and a phosphorus diffusion layer 7 according to the present invention carries out in a single batch: a first step wherein after applying a material 2 containing a boron compound to a plurality of substrates W and carrying in a pair of substrates WG into a diffusion furnace in such a state where substrate surfaces coated with the material 2 containing a boron compound are in contact with each other, the material 2 containing a boron compound and the atmospheric gas are caused to react with each other, thereby performing oxidation of boron and ashing of organic matters contained in the material containing a boron compound; a second step wherein a boron diffusion layer 3 is formed on one surface of the substrate; a third step wherein a boron silicate glass layer 4 is formed on the boron diffusion layer; a fourth step wherein a phosphorus diffusion layer 7 is formed on the other surface of the substrate; and a fifth step wherein the surface of the phosphorus diffusion layer 7 is oxidized.
(FR) La présente invention aborde le problème de suppression du coût de production d'une cellule solaire bifaciale, ce qui permet d'améliorer la productivité. Un procédé de formation d'une couche de diffusion de bore 3 et d'une couche de diffusion de phosphore 7 selon la présente invention réalise en un seul lot : une première étape au cours de laquelle après l'application d'un matériau 2 contenant un composé de bore à une pluralité de substrats W et le transport d'une paire de substrats WG dans un four à diffusion dans un état dans lequel des surfaces de substrat revêtues du matériau 2 contenant un composé de bore sont en contact les unes avec les autres, le matériau 2 contenant un composé de bore et le gaz atmosphérique sont amenés à réagir l'un avec l'autre, ce qui permet d'effectuer l'oxydation du bore et la calcination de matières organiques contenues dans le matériau contenant un composé de bore ; une deuxième étape au cours de laquelle une couche de diffusion de bore 3 est formée sur une surface du substrat ; une troisième étape au cours de laquelle une couche de verre de silicate de bore 4 est formée sur la couche de diffusion de bore ; une quatrième étape au cours de laquelle une couche de diffusion de phosphore 7 est formée sur l'autre surface du substrat ; et une cinquième étape au cours de laquelle la surface de la couche de diffusion de phosphore 7 est oxydée.
(JA) 両面受光型太陽電池セルの製造コストを抑制し、生産性を向上させることを課題とする。 ボロン拡散層3およびリン拡散層7の形成方法において、ボロン化合物を含む材料2を複数の基板Wに塗布し、ボロン化合物を含む材料2を塗布した面同士を当接させた状態の一対の基板WGを拡散炉に搬入した後、ボロン化合物を含む材料2と雰囲気ガスとを反応させ、該ボロン化合物を含む材料に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第1のステップと、ボロン拡散層3を前記基板の一方の面側に形成する第2のステップと、前記ボロン拡散層の上にボロンシリケートガラス層4を形成する第3のステップと、リン拡散層7を前記基板の他方の面側に形成する第4のステップと、リン拡散層7の表面を酸化する第5のステップとを同一バッチにて実施する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)