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1. (WO2018043503) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE P ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/043503    International Application No.:    PCT/JP2017/031007
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/365
C23C 16/40
C23C 16/448
H01L 21/329
H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 21/337
H01L 21/338
H01L 21/368
H01L 29/12
H01L 29/24
H01L 29/737
H01L 29/739
H01L 29/778
H01L 29/78
H01L 29/808
H01L 29/812
H01L 29/872
H01L 33/26
Applicants: FLOSFIA INC.
株式会社FLOSFIA
KYOTO UNIVERSITY
国立大学法人京都大学
Inventors: FUJITA Shizuo
藤田 静雄
KANEKO Kentaro
金子 健太郎
ODA Masaya
織田 真也
HITORA Toshimi
人羅 俊実
Title: SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE P ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un semi-conducteur à oxyde de type p nouveau et utile qui présente une large bande interdite et une excellent conductivité électrique, et son procédé de fabrication. Une solution de matière première contenant de l'iridium et d'autres métaux comme souhaité est atomisée pour générer un brouillard, et après l'utilisation d'un gaz vecteur pour transporter le brouillard jusqu'à proximité de la surface d'une base, par réaction thermique du brouillard à proximité de la surface de base, un cristal d'un oxyde métallique contenant de l'iridium ou un cristal mixte est formé sur la base, pour fabriquer le semi-conducteur à oxyde de type p.