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1. (WO2018043478) MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE ET MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/043478 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030903
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
H01L 35/14 (2006.01) ,C01B 33/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33
Silicium; Ses composés
06
Siliciures métalliques
Déposants :
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
学校法人トヨタ学園 TOYOTA SCHOOL FOUNDATION [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区久方2丁目12番地1 2-12-1, Hisakata, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688511, JP
Inventeurs :
足立 真寛 ADACHI, Masahiro; JP
木山 誠 KIYAMA, Makoto; JP
山本 喜之 YAMAMOTO, Yoshiyuki; JP
竹内 恒博 TAKEUCHI, Tsunehiro; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-16940631.08.2016JP
Titre (EN) THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE
(FR) MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE ET MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電変換材料、熱電変換素子および熱電変換モジュール
Abrégé :
(EN) This thermoelectric conversion material includes a base material that is a semiconductor, and an additive element that differs from an element that constitutes the base material. In a forbidden band of the base material, an additive band formed by the additive element exists. A state density of the additive band has a ratio of 0.1 or greater with respect to the maximum value of a state density of a valence band adjacent to the forbidden band of the base material.
(FR) La présente invention concerne un matériau de conversion thermoélectrique qui comprend un matériau de base qui est un semi-conducteur, et un élément additif qui diffère d’un élément qui constitue le matériau de base. Dans une bande interdite du matériau de base est située une bande additive formée par l’élément additif. Une densité d’état de la bande additive a un rapport de 0,1 ou plus par rapport à la valeur maximale d’une densité d’état d’une bande de valence adjacente à la bande interdite du matériau de base.
(JA) 熱電変換材料は、半導体であるベース材料と、ベース材料を構成する元素とは異なる元素である添加元素と、を含む。ベース材料の禁制帯内に、添加元素により形成される付加バンドが存在する。付加バンドの状態密度は、ベース材料の禁制帯に隣接する価電子帯の状態密度の最大値に対して0.1以上の比率を有する。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)