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1. (WO2018043446) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CHAMBRE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/043446 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030835
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YOKOHAMA NATIONAL UNIVERSITY[JP/JP]; 79-1 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2408501, JP
KANTO DENKA KOGYO CO., LTD.[JP/JP]; 2-105, Kanda-Awajicho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010063, JP
Inventeurs : HABUKA, Hitoshi; JP
TAKAHASHI, Yoshinao; JP
FUKAE, Katsuya; JP
Mandataire : SHOWA INTERNATIONAL PATENT FIRM; NIKKEN AKASAKA BLDG., 7F., 5-7, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2016-16956231.08.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR PRODUCTION CHAMBER
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CHAMBRE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体製造用チャンバのクリーニング方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a method for effectively removing fluorine atoms remaining after cleaning a semiconductor production chamber with chlorine trifluoride. The interior of a semiconductor provided chamber which has been used to produce semiconductors is exposed to chlorine trifluoride, and after removing matter to be removed remaining in the chamber, the interior of the chamber is heat-treated with at least one gas selected from the group consisting of nitrogen, argon, helium and hydrogen. It is preferable that the interior of the chamber is exposed to chlorine trifluoride while measuring the temperature inside the chamber, and that the supply of chlorine trifluoride to the interior of the chamber is stopped if the temperature inside the chamber drops to a preset temperature.
(FR) L'invention concerne un procédé pour éliminer efficacement des atomes de fluor restant après le nettoyage d'une chambre de production de semi-conducteur avec du tri-fluorure de chlore. L'intérieur d'une chambre à semi-conducteurs qui a été utilisée pour produire des semi-conducteurs est exposé au tri-fluorure de chlore, et après élimination de la matière à éliminer restante dans la chambre, l'intérieur de la chambre est traité thermiquement avec au moins un gaz choisi dans le groupe constitué par l'azote, l'argon, l'hélium et l'hydrogène. Il est préférable que l'intérieur de la chambre soit exposé au tri-fluorure de chlore tout en mesurant la température à l'intérieur de la chambre, et que l'alimentation en tri-fluorure de chlore à l'intérieur de la chambre est arrêtée si la température à l'intérieur de la chambre chute jusqu'à une température prédéfinie.
(JA) 本発明は半導体製造用チャンバを三フッ化塩素でクリーニングした後に残留するフッ素原子を効果的に除去する方法を提供する。半導体を製造した後の半導体製造用チャンバ内を三フッ化塩素に曝露して、前記チャンバ内に残存する除去対象物を除去した後、前記チャンバ内を窒素、アルゴン、ヘリウム及び水素からなる群より選択される少なくとも1種のガスで熱処理する。前記チャンバ内を測温しながら前記チャンバ内を三フッ化塩素に曝露し、前記チャンバ内の温度が設定温度まで降下したら、前記チャンバ内への三フッ化塩素の供給を停止することが好適である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)