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1. (WO2018043440) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/043440 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030820
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,C11D 7/26 (2006.01) ,C11D 7/32 (2006.01) ,C11D 7/34 (2006.01) ,C11D 7/36 (2006.01) ,C11D 7/50 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
22
Composés organiques
26
contenant de l'oxygène
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
22
Composés organiques
32
contenant de l'azote
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
22
Composés organiques
34
contenant du soufre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
22
Composés organiques
36
contenant du phosphore
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
50
Solvants
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
高橋 智威 TAKAHASHI Tomonori; JP
Mandataire :
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16977331.08.2016JP
Titre (EN) PROCESSING LIQUID, SUBSTRATE CLEANING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 処理液、基板の洗浄方法、半導体デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide: a processing liquid for semiconductor devices which exhibits excellent stability over time with respect to residue removal performance, and which exhibits excellent corrosion prevention performance with respect to objects to be processed; a substrate cleaning method which uses said processing liquid; and a method for producing semiconductor devices. [Solution] This processing liquid for semiconductor devices includes: at least one hydroxylamine compound selected from the group consisting of hydroxylamines and hydroxylamine salts; at least one basic compound selected from the group consisting of amine compounds different to the hydroxylamine compound, and quaternary ammonium hydroxide salts; and at least one selected from the group consisting of reductants different to the hydroxylamine compound, and chelating agents. The processing liquid has a pH of 10 or higher.
(FR) L’invention a pour objet de fournir un liquide de traitement qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs, et qui se révèle excellent en termes de stabilité au cours du temps de ses performances d’élimination de résidu et en termes de performances de protection contre la corrosion vis-à-vis d’un objet à traiter. En outre, l’invention a pour objet de fournir un procédé de nettoyage de substrat mettant en œuvre ledit liquide de traitement, et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs. Le liquide de traitement de l’invention consiste en un liquide de traitement qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs, et comprend : au moins une sorte de composé hydroxylamine choisie dans un groupe constitué d’une hydroxylamine et d’un sel d’hydroxylamine ; au moins une sorte de composé basique choisie dans un groupe constitué d’un composé amine distinct dudit composé hydroxylamine et d’un sel d’hydroxyde d’ammonium quaternaire ; et au moins un élément choisi dans un groupe constitué d’un agent de réduction distinct dudit composé hydroxylamine et d’un agent chélatant. Le pH de ce liquide de traitement est supérieur ou égal à 10.
(JA) 【課題】本発明の課題は、半導体デバイス用の処理液であって、残渣物除去性能の経時安定性に優れ、且つ、処理対象物に対する腐食防止性能にも優れた処理液を提供することである。また、上記処理液を用いた基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法を提供することである。 本発明の処理液は、半導体デバイス用の処理液であって、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩からなる群より選ばれる少なくとも1種のヒドロキシルアミン化合物と、上記ヒドロキシルアミン化合物とは異なるアミン化合物、及び四級水酸化アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の塩基化合物と、上記ヒドロキシルアミン化合物とは異なる還元剤、及びキレート剤からなる群より選ばれる少なくとも1種と、を含有し、pHが10以上である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)