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1. (WO2018043407) COMPOSITION DE POLYSILOXANE CONTENANT UN GROUPE SILANOL PROTÉGÉ PAR UN ACÉTAL
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N° de publication : WO/2018/043407 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030753
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
C09D 183/04 (2006.01) ,C08G 77/38 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/075 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
D
COMPOSITIONS DE REVÊTEMENT, p.ex. PEINTURES, VERNIS OU VERNIS-LAQUES; APPRÊTS EN PÂTE; PRODUITS CHIMIQUES POUR ENLEVER LA PEINTURE OU L'ENCRE; ENCRES; CORRECTEURS LIQUIDES; COLORANTS POUR BOIS; PRODUITS SOLIDES OU PÂTEUX POUR COLORIAGE OU IMPRESSION; EMPLOI DE MATÉRIAUX À CET EFFET
183
Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
04
Polysiloxanes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
04
Polysiloxanes
38
Polysiloxanes modifiés par post-traitement chimique
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
075
Composés contenant du silicium
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
40
Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
Déposants :
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
Inventeurs :
遠藤 勇樹 Endo, Yuki; JP
谷口 博昭 Yaguchi, Hiroaki; JP
中島 誠 Nakajima, Makoto; JP
Mandataire :
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
Données relatives à la priorité :
2016-16725129.08.2016JP
Titre (EN) ACETAL-PROTECTED SILANOL GROUP-CONTAINING POLYSILOXANE COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLYSILOXANE CONTENANT UN GROUPE SILANOL PROTÉGÉ PAR UN ACÉTAL
(JA) アセタール保護されたシラノール基を含むポリシロキサン組成物
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a composition containing an acetal-protected polysiloxane, which is able to be used as a photosensitive composition or a coating composition for forming a flat film on a substrate to be processed for performing pattern reversal. [Solution] A coating composition or photosensitive composition which contains a polysiloxane that is obtained from a hydrolysis-condensation product of a hydrolyzable silane having 2 to 4 hydrolyzable groups in each molecule by acetal-protecting a silanol group of the hydrolysis-condensation product, and wherein the hydrolysis-condensation product contains an organic group at a molar ratio satisfying 0 ≤ (organic group)/(Si) ≤ 0.29 on average, said organic group being bonded to a silicon atom by means of an Si-C bond. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises: a step (A) for forming a resist film on a semiconductor substrate; a step (B) for obtaining a resist pattern by exposing the resist film to light and by developing the resist after the light exposure; a step (C) for embedding a polysiloxane in the patterned resist film by applying a coating composition of the present invention thereto; a step (D) for reversing the pattern by etching the resist film after curing the embedded polysiloxane; and a step (E) for processing the substrate with use of the polysiloxane film.
(FR) Le problème décrit par la présente invention concerne une composition contenant un polysiloxane protégé par un acétal, qui peut être utilisée en tant que composition photosensible ou composition de revêtement pour former un film plat sur un substrat destiné à être traité pour réaliser une inversion de motif. La solution porte sur une composition de revêtement ou une composition photosensible qui contient un polysiloxane qui est obtenu à partir d'un produit d'hydrolyse-condensation d'un silane hydrolysable comprenant 2 à 4 groupes hydrolysables dans chaque molécule par protection par acétal d'un groupe silanol du produit d'hydrolyse-condensation et le produit d'hydrolyse-condensation contenant un groupe organique à un rapport molaire satisfaisant à 0 ≤ (groupe organique)/(Si) ≤ 0,29 en moyenne, ledit groupe organique étant lié à un atome de silicium au moyen d'une liaison Si-C. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, qui comprend : une étape (A) pour former un film de résine photosensible sur un substrat semi-conducteur ; une étape (B) pour obtenir un motif de résine photosensible par exposition du film de résine photosensible à la lumière et par développement de la résine photosensible après l'exposition à la lumière ; une étape (C) pour enrober un polysiloxane dans le film de résine photosensible à motifs par application d'une composition de revêtement de la présente invention sur celui-ci ; une étape (D) pour inverser le motif par gravure du film de résine photosensible après durcissement du polysiloxane enrobé ; et une étape (E) pour traiter le substrat à l'aide du film de polysiloxane.
(JA) 【課題】 被加工基板上に平坦な膜を形成しパターン反転を行う被覆組成物や、感光性組成物として利用できるアセタール保護されたポリシロキサンを含む組成物を提供する。 【解決手段】 分子内に2乃至4個の加水分解性基を有する加水分解性シランの加水分解縮合物より、該縮合物が有するシラノール基をアセタール保護して得られたポリシロキサンを含む被覆組成物または感光性組成物であって、該加水分解縮合物はSi-C結合でケイ素原子に結合する有機基が平均として、0≦(該有機基)/(Si)≦0.29のモル比割合で存在する該被覆組成物または感光性組成物。半導体基板上にレジスト膜を形成する工程(A)、前記レジスト膜を露光し、露光後にレジストを現像しレジストパターンを得る工程(B)、パターン化されたレジスト膜上に本件被覆用組成物を塗布しポリシロキサンを埋め込む工程(C)、埋め込んだ該ポリシロキサンを硬化させた後、レジスト膜をエッチングしてパターンを反転する工程(D)、ポリシロキサン膜を用いて基板を加工する工程(E)を含む半導体装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)