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1. (WO2018043377) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE COMPRENANT UN ÉLÉMENT À JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2018/043377 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030682
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
H01L 43/12 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs :
伊藤 顕知 ITO Kenchi; JP
遠藤 哲郎 ENDOH Tetsuo; JP
池田 正二 IKEDA Shoji; JP
佐藤 英夫 SATO Hideo; JP
大野 英男 OHNO Hideo; JP
三浦 貞彦 MIURA Sadahiko; JP
丹羽 正昭 NIWA Masaaki; JP
本庄 弘明 HONJO Hiroaki; JP
Mandataire :
特許業務法人 英知国際特許事務所 EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 東京都文京区千石4丁目45番13号 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011, JP
Données relatives à la priorité :
2016-17003231.08.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING MAGNETIC MEMORY COMPRISING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE COMPRENANT UN ÉLÉMENT À JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気トンネル接合素子を備える磁気メモリの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a method for producing a magnetic memory, by which a magnetic memory comprising a magnetic tunnel junction element that exhibits a high element performance is able to be easily produced. This method for producing a magnetic memory comprising a magnetic tunnel junction element comprises: a step for forming a magnetic film on a substrate that is provided with an electrode layer, said magnetic film comprising a non-magnetic layer between a first magnetic layer and a second magnetic layer; a magnetic-field annealing step wherein an annealing treatment is performed at a first treatment temperature in a vacuum, while applying a magnetic field in a direction perpendicular to the film surface of the first magnetic layer or the second magnetic layer; a step for forming a magnetic tunnel junction element; a protective film formation step for forming a protective film that protects the magnetic tunnel junction element; a formation step accompanied with a thermal history, wherein a constituent element of a magnetic memory is formed on the substrate, which has been provided with the protective film, after the protective film formation step; and a non-magnetic-field annealing step wherein the substrate is subjected to an annealing treatment at a second treatment temperature that is lower than the first treatment temperature in a vacuum or in an inert gas in an annealing treatment chamber without applying a magnetic field thereto.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une mémoire magnétique, au moyen duquel une mémoire magnétique comprenant un élément à jonction tunnel magnétique qui présente une performance d'élément élevée peut être facilement produite. Ce procédé de production d'une mémoire magnétique comprenant un élément à jonction tunnel magnétique comprend : une étape de formation d'un film magnétique sur un substrat qui est pourvu d'une couche d'électrode, ledit film magnétique comprenant une couche non magnétique entre une première couche magnétique et une seconde couche magnétique ; une étape de recuit en champ magnétique au cours de laquelle un traitement de recuit est effectué à une première température de traitement sous vide, tout en appliquant un champ magnétique dans une direction perpendiculaire à la surface de film de la première couche magnétique ou de la seconde couche magnétique ; une étape de formation d'un élément à jonction tunnel magnétique ; une étape de formation de film de protection pour former un film de protection qui protège l'élément à jonction tunnel magnétique ; une étape de formation accompagnée d'un historique thermique, un élément constitutif d'une mémoire magnétique étant formé sur le substrat, qui a été pourvu du film de protection, après l'étape de formation de film de protection ; et une étape de recuit en champ non magnétique au cours de laquelle le substrat est soumis à un traitement de recuit à une seconde température de traitement qui est inférieure à la première température de traitement sous vide ou dans un gaz inerte dans une chambre de traitement de recuit sans appliquer de champ magnétique à celui-ci.
(JA) 高い素子性能を有する磁気トンネル接合素子を備える磁気メモリを簡単に製造可能な磁気メモリの製造方法を提供する。磁気トンネル接合素子を備える磁気メモリの製造方法は、電極層が設けられた基板に、第1磁性層と第2磁性層との間に非磁性層を備えた磁性膜を形成する工程と、真空中で第1磁性層又は第2磁性層の膜面垂直方向に磁界を印加した状態で、第1処理温度でアニール処理を行う磁場中アニール処理工程と、磁気トンネル接合素子を形成する工程と、磁気トンネル接合素子を保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、保護膜が形成された基板に対して、磁気メモリの構成要素を形成する、熱履歴を伴う形成工程と、アニール処理室にて、真空中又は不活性ガス中、磁場非印加状態で、基板に対して、第1処理温度よりも低い第2処理温度でアニール処理を施す磁場非印加アニール処理工程と、を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)