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1. (WO2018043317) MODULATEUR OPTIQUE
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N° de publication : WO/2018/043317 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030468
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 25.08.2017
CIB :
G02F 1/025 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015
basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
025
dans une structure de guide d'ondes optique
Déposants :
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
Inventeurs :
開 達郎 HIRAKI,Tatsurou; JP
松尾 慎治 MATSUO,Shinji; JP
Mandataire :
山川 茂樹 YAMAKAWA,Shigeki; JP
小池 勇三 KOIKE,Yuzo; JP
山川 政樹 YAMAKAWA,Masaki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16651829.08.2016JP
Titre (EN) OPTICAL MODULATOR
(FR) MODULATEUR OPTIQUE
(JA) 光変調器
Abrégé :
(EN) This optical modulator is provided with: a p-type first semiconductor layer (102) that is formed on a cladding layer (101); an insulating layer (103) that is formed on the first semiconductor layer (102); and an n-type second semiconductor layer (104) that is formed on the insulating layer (103). The first semiconductor layer (102) is configured from silicon or silicon-germanium; and the second semiconductor layer (104) is configured from a group III-V compound semiconductor that is composed of three or more materials.
(FR) Ce modulateur optique comprend : une première couche semi-conductrice de type p (102) qui est formée sur une couche de gainage (101); une couche isolante (103) qui est formée sur la première couche semi-conductrice (102); et une seconde couche semi-conductrice de type n (104) qui est formée sur la couche isolante (103). La première couche semi-conductrice (102) est configurée à partir de silicium ou de silicium-germanium; et la seconde couche semi-conductrice (104) est configurée à partir d'un semi-conducteur composé du groupe III-V qui est composé de trois matériaux ou plus.
(JA) クラッド層(101)の上に形成されたp型の第1半導体層(102)と、第1半導体層(102)の上に形成された絶縁層(103)と、絶縁層(103)の上に形成されたn型の第2半導体層(104)とを備える。第1半導体層(102)は、シリコンまたはシリコンゲルマニウムから構成され、第2半導体層(104)は、3つ以上の材料からなるIII-V族化合物半導体から構成されている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)