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1. (WO2018043305) PROCÉDÉ ET COMPOSITION DE MODIFICATION SÉLECTIVE DE SURFACE DE MATÉRIAU DE BASE

Pub. No.:    WO/2018/043305    International Application No.:    PCT/JP2017/030428
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Aug 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/312
B05D 3/02
B05D 7/00
H01L 21/3065
Applicants: JSR CORPORATION
JSR株式会社
Inventors: KOMATSU Hiroyuki
小松 裕之
ODA Tomohiro
小田 智博
OSAKI Hitoshi
大▲崎▼ 仁視
HORI Masafumi
堀 雅史
NARUOKA Takehiko
成岡 岳彦
Title: PROCÉDÉ ET COMPOSITION DE MODIFICATION SÉLECTIVE DE SURFACE DE MATÉRIAU DE BASE
Abstract:
L'objectif de la présente invention est de fournir un procédé de modification sélective pour des surfaces de matériau de base et une composition, par laquelle une région de surface comprenant du silicium peut être modifiée de manière simple et hautement sélective et dense. Ce procédé de modification sélective pour des surfaces de matériau de base comprend : une étape dans laquelle un matériau de base est préparé et ayant une première région comprenant du silicium, sur une couche de surface de celui-ci; une étape dans laquelle une composition est appliquée sur la surface du matériau de base, ladite composition comprenant un solvant et un premier polymère qui a, au niveau du terminal de la chaîne principale ou d'une chaîne latérale de celle-ci, un groupe comprenant un premier groupe fonctionnel qui se lie au silicium; et une étape dans laquelle un film de revêtement formé par l'étape de revêtement est chauffé. Idéalement, la première région comprend un oxyde de silicium, un nitrure de silicium ou un nitrure d'oxyde de silicium. Idéalement, le matériau de base a également une seconde région différente de la première région et comprenant du métal, et le procédé de modification sélective comprend également une étape, après l'étape de chauffage, dans laquelle une section formée sur la seconde région dans le film de revêtement est retirée à l'aide d'un fluide de rinçage.