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1. (WO2018043304) PROCÉDÉ DE MODIFICATION SÉLECTIVE DESTINÉ À DES SURFACES DE MATÉRIAU DE BASE ET COMPOSITION
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N° de publication : WO/2018/043304 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030427
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 24.08.2017
CIB :
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
小松 裕之 KOMATSU Hiroyuki; JP
小田 智博 ODA Tomohiro; JP
大▲崎▼ 仁視 OSAKI Hitoshi; JP
堀 雅史 HORI Masafumi; JP
成岡 岳彦 NARUOKA Takehiko; JP
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2016-17134001.09.2016JP
Titre (EN) SELECTIVE MODIFICATION METHOD FOR BASE MATERIAL SURFACES AND COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE MODIFICATION SÉLECTIVE DESTINÉ À DES SURFACES DE MATÉRIAU DE BASE ET COMPOSITION
(JA) 基材表面の選択的修飾方法及び組成物
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a selective modification method for base material surfaces, whereby a surface region including metal can be simply and highly selectively and densely modified; and a composition. This selective modification method for base material surfaces comprises: a step in which a base material is prepared that has a first region including metal, on a surface layer thereof; a step in which a composition is coated on the surface of the base material, said composition including a solvent and a first polymer that has, at the terminal of the main chain or a side chain thereof, a group including a first functional group that bonds with the metal; and a step in which a coating film formed by the coating step is heated. Ideally, the base material also has a second region comprising substantially only non-metals and the selective modification method also comprises a step, after the heating step, in which a section formed on the second region in the coating film is removed by using a rinse fluid. The metal ideally comprises an elemental metal, an alloy, a conductive nitride, or a silicide.
(FR) La présente invention porte sur un procédé de modification sélective destiné à des surfaces de matériau de base, permettant de modifier de manière simple, très sélective et dense une région de surface comprenant du métal ; et porte sur une composition. Ce procédé de modification sélective destiné à des surfaces de matériau de base comporte les étapes suivantes : la préparation d'un matériau de base disposant sur une couche de surface d'une première région comprenant du métal ; l'application d'une composition sur la surface du matériau de base, ladite composition comprenant un solvant et un premier polymère qui dispose, à l'extrémité de sa chaîne principale ou d'une chaîne latérale de ce dernier, d'un groupe comprenant un premier groupe fonctionnel qui se lie au métal ; et le chauffage d'un film de revêtement formé à l'étape d'application de composition. Idéalement, le matériau de base dispose également d'une seconde région qui ne comporte pratiquement que des éléments non métalliques, et le procédé de modification sélective comporte également une étape, après l'étape de chauffage, durant laquelle une section formée sur la seconde région dans le film de revêtement est retirée à l'aide d'un fluide de rinçage. Le métal comporte idéalement un métal élémentaire, un alliage, un nitrure conducteur, ou un siliciure.
(JA) 本発明は、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の選択的修飾方法及び組成物の提供を目的とする。本発明は、金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、上記基材の表面に、上記金属と結合する第1官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第1重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備える基材表面の選択的修飾方法である。上記基材が、実質的に非金属のみからなる第二の領域をさらに有し、上記加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記第二の領域上に形成された部分をリンス液により除去する工程をさらに備えることが好ましい。上記金属は、金属単体、合金、導電性窒化物又はシリサイドを構成していることが好ましい。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)