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1. (WO2018043229) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2018/043229    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/030033
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 23.08.2017
CIB :
H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : KAWAGUCHI Masao; (--).
TAKIGAWA Shinichi; (--).
NAKA Nozomi; (--)
Mandataire : KAMATA Kenji; (JP).
MAEDA Hiroo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-168185 30.08.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ素子
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser element (100) is provided with: a first conductivity-type first semiconductor layer (first cladding layer (2)); a light emitting layer (active layer (4)) formed on the first semiconductor layer; a second conductivity-type second semiconductor layer (second cladding layer (7)) formed on the light emitting layer; and an electrode (p-side electrode (11)) formed on a ridge portion 9 formed on the second semiconductor layer. The electrode is divided into a plurality of portions at a position where the integrated value of the optical intensity of high-order mode oscillation becomes maximum.
(FR)Un élément laser à semi-conducteur comprend : une première couche semi-conductrice de premier type de conductivité (première couche de gainage (2)); une couche électroluminescente (couche active (4)) formée sur la première couche semi-conductrice; une seconde couche semi-conductrice de second type de conductivité (seconde couche de gainage (7)) formée sur la couche électroluminescente; et une électrode (électrode côté p (11)) formée sur une partie de crête formée sur la seconde couche semi-conductrice. L'électrode est divisée en une pluralité de portions à une position où la valeur intégrée de l'intensité optique d'une oscillation de mode d'ordre élevé devient maximale.
(JA)半導体レーザ素子(100)は、第1導電型の第1半導体層(第1クラッド層(2))と、第1半導体層の上に形成された発光層(活性層(4))と、発光層の上に形成された第2導電型の第2半導体層(第2クラッド層(7))と、第2半導体層に形成されたリッジ部9の上に形成された電極(p側電極(11))と、を備え、この電極は、高次モード発振の光強度の積算値が極大となる位置で複数に分割されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)