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1. (WO2018043171) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SIC, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE DÉFAUT

Pub. No.:    WO/2018/043171    International Application No.:    PCT/JP2017/029740
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
C23C 16/42
C30B 25/20
G01N 21/956
H01L 21/205
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
Inventors: GUO Ling
郭 玲
KAMEI Koji
亀井 宏二
Title: TRANCHE ÉPITAXIALE DE SIC, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE DÉFAUT
Abstract:
Selon la présente invention, dans cette tranche épitaxiale de SiC, une couche épitaxiale de SiC est formée sur un substrat monocristallin de 4H-SiC qui a un angle d'inclinaison et une densité d'inclusion de carbone substrat de 0,1 à 2,5 atomes/cm2. La tranche épitaxiale de SiC est caractérisée en ce que la densité totale de grands défauts de creux et de défauts triangulaires compris dans la couche épitaxiale de SiC à la suite de l'inclusion de carbone substrat est de 0,6 défaut/cm2 ou moins.