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1. (WO2018043169) TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM ÉPITAXIÉE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE DÉFAUT DE PIQÛRE DE GRANDE DIMENSION ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE DÉFAUT

Pub. No.:    WO/2018/043169    International Application No.:    PCT/JP2017/029718
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
C23C 16/42
C30B 25/20
G01N 21/956
H01L 21/205
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
Inventors: GUO Ling
郭 玲
KAMEI Koji
亀井 宏二
Title: TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM ÉPITAXIÉE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE DÉFAUT DE PIQÛRE DE GRANDE DIMENSION ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE DÉFAUT
Abstract:
Cette invention concerne une tranche de SiC épitaxiée, dans laquelle une couche épitaxiée de SiC est formée sur un substrat monocristallin de 4H-SiC qui a un angle de dégagement et une densité d'inclusions de carbone dans le substrat de 0,1 à 6,0 atomes/cm2. La densité des défauts de piqûre de grande dimension inclus dans la couche épitaxiée de SiC en conséquence des inclusions de carbone dans le substrat est inférieure ou égale à de 0,5 défauts/cm2.