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1. (WO2018043140) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/043140 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/029494
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 17.08.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
9
Détails des systèmes de télévision en couleurs
04
Générateurs de signaux d'image
07
avec une seule tête de lecture
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
松本 晃 MATSUMOTO Akira; JP
田舎中 博士 TAYANAKA Hiroshi; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16759130.08.2016JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子装置
Abrégé :
(EN) The present technique relates to: a solid-state imaging element which enables the reduction in the chip size of a CIS that uses an organic photoelectric conversion film; and an electronic device. A solid-state imaging element according to one embodiment of the present invention is characterized by being provided with: first and second substrates that are laminated on each other; and a first organic photoelectric conversion film that is formed on the first substrate. This solid-state imaging element is also characterized in that a latch circuit is formed on the second substrate. The present technique is applicable, for example, to a backside-illuminated CIS.
(FR) La présente technique concerne : un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui permet la réduction de la taille de puce d'un CIS qui utilise un film de conversion photoélectrique organique; et un dispositif électronique. Un élément d'imagerie à semi-conducteurs selon un mode de réalisation de la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend: des premier et second substrats qui sont stratifiés l'un sur l'autre; et un premier film de conversion photoélectrique organique qui est formé sur le premier substrat. Cet élément d'imagerie à semi-conducteurs est également caractérisé en ce qu'un circuit de verrouillage est formé sur le second substrat. La présente technique est applicable, par exemple, à un dispositif CIS rétro-éclairé.
(JA) 本技術は、有機光電変換膜を用いたCISのチップサイズを小型化することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本技術の第1の側面である固体撮像素子は、積層されている第1および第2基板と、前記第1基板の上に形成されている第1有機光電変換膜とを備え、前記第2基板には、Latch回路が形成されていることを特徴とする。本技術は、例えば、裏面照射型のCISに適用できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)