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1. (WO2018043094) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/043094    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/029115
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 10.08.2017
CIB :
H01L 33/52 (2010.01), H01L 23/02 (2006.01)
Déposants : NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506022 (JP)
Inventeurs : ICHINOKURA Hiroyasu; (JP).
ISHIGURO Hisaonri; (JP).
URA Kenta; (JP)
Mandataire : MORISHITA Sakaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-171230 01.09.2016 JP
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置および光半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An optical semiconductor device 10 that comprises: a package substrate 30 that has a recess 34 that opens at an upper surface 31; a light-emitting element 20 that is housed in the recess 34; a window member 40 that is arranged to cover the opening of the recess 34; and a seal structure 50 that seals the space between the package substrate 30 and the window member 40. The seal structure 50 has: a frame-shaped first metal layer 51 that is provided on the upper surface 31 of the package substrate 30; a frame-shaped second metal layer 52 that is provided on an inner surface 44 of the window member 40; and a metal joining part 53 that is provided between the first metal layer 51 and the second metal layer 52. The first metal layer 51 and the second metal layer 52 are configured such that the entirety of one of the first metal layer 51 and the second metal layer 52 is located inside the area in which the other is provided.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur optique (10) qui comprend : un substrat de boîtier (30) qui comporte un évidement (34) qui s'ouvre au niveau d'une surface supérieure (31) ; un élément électroluminescent (20) qui est logé dans l'évidement (34) ; un élément de fenêtre (40) qui est disposé de manière à recouvrir l'ouverture de l'évidement (34) ; et une structure d'étanchéité (50) qui scelle l'espace entre le substrat de boîtier (30) et l'élément de fenêtre (40). La structure d'étanchéité (50) comprend : une première couche métallique en forme de cadre (51) qui est disposée sur la surface supérieure (31) du substrat de boîtier (30) ; une seconde couche métallique en forme de cadre (52) qui est disposée sur une surface interne (44) de l'élément de fenêtre (40) ; et une partie d'assemblage métallique (53) qui est disposée entre la première couche métallique (51) et la seconde couche métallique (52). La première couche métallique (51) et la seconde couche métallique (52) sont conçues de telle sorte que la totalité de la première couche métallique (51) ou de la seconde couche métallique (52) est située à l'intérieur de la zone dans laquelle l'autre est disposée.
(JA)光半導体装置10は、上面31に開口する凹部34を有するパッケージ基板30と、凹部34に収容される発光素子20と、凹部34の開口を覆うように配置される窓部材40と、パッケージ基板30と窓部材40の間を封止する封止構造50と、を備える。封止構造50は、パッケージ基板30の上面32に枠状に設けられる第1金属層51と、窓部材40の内面44に枠状に設けられる第2金属層52と、第1金属層51と第2金属層52の間に設けられる金属接合部53とを有し、第1金属層51および第2金属層52の一方が設けられる領域内に第1金属層51および第2金属層52の他方の全体が位置するよう構成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)