Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018043029) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS ET MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/043029 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028280
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01J 9/12 (2006.01) ,H01J 1/34 (2006.01) ,H01J 43/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02
Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
12
des cathodes photo-émissives; des électrodes à émission secondaire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1
Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02
Electrodes principales
34
Cathodes photo-émissives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
43
Tubes à émission secondaire; Tubes multiplicateurs d'électrons
04
Multiplicateurs d'électrons
06
Dispositions d'électrodes
18
Dispositions d'électrodes utilisant essentiellement plus d'une dynode
20
Dynodes constituées par un matériau en feuilles, p.ex. plates, courbes
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
小林 浩之 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉浦 銀治 SUGIURA Ginji; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16980931.08.2016JP
Titre (EN) ELECTRON MULTIPLIER PRODUCTION METHOD AND ELECTRON MULTIPLIER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS ET MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS
(JA) 電子増倍体の製造方法及び電子増倍体
Abrégé :
(EN) The invention provides a method for producing an electron multiplier that comprises a main body part and a channel provided in the main body part in such a manner as to open at one end surface and at the other end surface of the main body part and emitting a secondary electron in response to an incident electron, said method comprising: a first step of preparing a main body member having the one end surface and the other end surface and provided with a communication hole for the channel wherethrough the one end surface and the other end surface communicate; a second step of forming on the outer surface of the main body member and the inner surface of the communication hole, via the atom layer deposition method, a deposit layer containing at least a resistance layer, thereby forming the channel; and a third step of removing the deposit layer formed on the outer surface of the main body member, thereby forming the main body part.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un multiplicateur d'électrons qui comprend une partie corps principal et un canal disposé dans la partie corps principal de manière à s'ouvrir au niveau des deux surfaces d'extrémité de la partie corps principal et à émettre un électron secondaire en réponse à un électron incident, ledit procédé comprenant les étapes consistant : à préparer un élément de corps principal comprenant les deux surfaces d'extrémité et pourvu d'un trou de communication destiné au canal par lequel la surface d'extrémité et l'autre surface d'extrémité communiquent (1) ; à former sur la surface extérieure de l'élément de corps principal et la surface interne du trou de communication par l'intermédiaire d'un procédé de dépôt de couche atomique une couche de dépôt comprenant au moins une couche de résistance, de manière à former le canal (2) ; et à retirer la couche de dépôt formée sur la surface extérieure de l'élément de corps principal, de manière à former la partie corps principal (3).
(JA) 本体部と、前記本体部の一端面及び他端面に開口するように前記本体部に設けられ、入射した電子に応じて二次電子を放出するチャネルと、を備える電子増倍体の製造方法であって、前記一端面及び前記他端面を有し、前記一端面と前記他端面とを連通する前記チャネルのための連通孔が設けられた本体部材を用意する第1工程と、前記本体部材の外面及び前記連通孔の内面に、原子層堆積法によって、少なくとも抵抗層を含む堆積層を形成することにより、前記チャネルを形成する第2工程と、前記本体部材の前記外面に形成された前記堆積層を除去することにより、前記本体部を形成する第3工程と、を備える、電子増倍体の製造方法。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)