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1. (WO2018042973) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/042973 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027407
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 28.07.2017
CIB :
H01L 23/24 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16
Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p.ex. anneaux de centrage
18
Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet
24
solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
田屋 昌樹 TAYA, Masaki; JP
Mandataire :
村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako; JP
松井 重明 MATSUI, Jumei; JP
倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka; JP
伊達 研郎 DATE, Kenro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-17051101.09.2016JP
Titre (EN) POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パワーモジュールおよびその製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a power module capable of suppressing deterioration of insulation performance and ensuring the insulation performance by suppressing occurrence of air bubbles in a silicone gel, and peeling between the silicone gel and an insulating substrate at a high temperature, low temperature, and low atmospheric pressure. This power module is provided with: an insulating substrate (2) having a power semiconductor element (7) that is mounted on the front surface; a base plate (1) bonded to the rear surface of the insulating substrate (2); a case (3), which is fixed to the base plate (1), and which surrounds the insulating substrate (2); a cover (4), which is fixed to the case (3), and which forms an airtight region; and a silicone gel (11), i.e., a filling member, which is applied to the whole region of the airtight region, and internal stress of which is kept at compression stress.
(FR) L'invention concerne un module de puissance capable d'empêcher la détérioration des performances d'isolation et d'assurer les performances d'isolation en empêchant l'apparition de bulles d'air dans un gel de silicone, et le pelage entre le gel de silicone et un substrat isolant à une température élevée, une basse température et une faible pression atmosphérique. Ce module de puissance est pourvu : d'un substrat isolant (2) ayant un élément semi-conducteur de puissance (7) qui est monté sur la surface avant; d'une plaque de base (1) liée à la surface arrière du substrat isolant (2); d'un boîtier (3), qui est fixé à la plaque de base (1), et qui entoure le substrat isolant (2); d'un couvercle (4), qui est fixé au boîtier (3), et qui forme une région étanche à l'air; et d'un gel de silicone (11), c'est-à-dire un élément de remplissage, qui est appliqué à l'ensemble de la région étanche à l'air, une contrainte interne de cette dernière étant maintenue à une contrainte de compression.
(JA) 高温時、低温時、低気圧時のシリコーンゲル内の気泡の発生及びシリコーンゲルと絶縁基板との剥離を抑制することで、絶縁性能の劣化を抑制し、絶縁性能の確保が可能なパワーモジュールを得る。表面にパワー半導体素子(7)を搭載した絶縁基板(2)と、絶縁基板(2)の裏面に接合されたベース板(1)と、ベース板(1)に固定され絶縁基板(2)を取り囲むケース(3)と、ケース(3)に固定され密閉領域を形成する蓋(4)と、密閉領域の全域に充填され内部応力が圧縮応力に保たれる充填部材であるシリコーンゲル(11)とを備えたパワーモジュールである。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)