Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018042971) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ÉVALUATION D'ISOLATION TOPOLOGIQUE À PARTIR DE CARACTÉRISTIQUES DE SPIN DE SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/042971 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027375
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 28.07.2017
CIB :
G01N 21/21 (2006.01) ,G01R 15/24 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
21
Propriétés affectant la polarisation
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
15
Détails des dispositions pour procéder aux mesures des types prévus dans les groupes G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26191
14
Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort
24
utilisant des dispositifs modulateurs de lumière
Déposants :
国立大学法人筑波大学 UNIVERSITY OF TSUKUBA [JP/JP]; 茨城県つくば市天王台一丁目1番1 1-1-1, Tennodai, Tsukuba-shi, Ibaraki 3058577, JP
Inventeurs :
長谷 宗明 HASE Muneaki; JP
マンダル リチャジ MONDAL Richarj; JP
粟飯原 有輝 AIHARA Yuki; JP
齊藤 雄太 SAITO Yuta; JP
富永 淳二 TOMINAGA Junji; JP
Mandataire :
光田 敦 MITSUDA Atsushi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16774430.08.2016JP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR EVALUATING TOPOLOGICAL INSULATION FROM SOLID SPIN CHARACTERISTICS
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ÉVALUATION D'ISOLATION TOPOLOGIQUE À PARTIR DE CARACTÉRISTIQUES DE SPIN DE SOLIDE
(JA) 固体のスピン特性からトポロジカル絶縁性を評価する方法及び装置
Abrégé :
(EN) In the present invention, a femtosecond pulsed laser 4 is irradiated onto the surface of a solid sample 8 of a topological insulator as excitation light while the polarization state is changed through the rotation of a quarter-wave plate 6; a reverse Faraday effect or reverse Cotton-Mouton effect is induced on the surface of the solid sample 8; through the measurement of the quarter-wave-plate-angle dependency resulting from the effect, localized spin states on the surface of the solid sample 8 and surface band states are evaluated for a topological insulator, or the like; and topological insulation is evaluated.
(FR) Dans la présente invention, un laser pulsé femtoseconde 4 est irradié sur la surface d'un échantillon solide 8 d'un isolateur topologique en tant que lumière d'excitation tandis que l'état de polarisation est modifié par la rotation d'une lame quart d'onde 6; un effet de Faraday inverse ou un effet de Cotton-Mouton inverse est induit sur la surface de l'échantillon solide 8; au moyen de la mesure de la dépendance de l'angle de lame quart d'onde résultant de l'effet, des états de spin localisés sur la surface de l'échantillon solide 8 et des états de bande de surface sont évalués pour un isolateur topologique, ou similaire; et une isolation topologique est évaluée.
(JA) 【要約書】 励起光としてフェムト秒パルスレーザー4を、λ/4波長板6を回転させることで偏光状態を変化させトポロジカル絶縁体の固体試料8の表面に照射し、固体試料8の表面に、逆ファラデー効果又は逆コットン・ムートン効果を誘起せしめ、該効果に基づいて生じるλ/4波長板回転角依存性を計測することにより、トポロジカル絶縁体等における固体試料8の表面に局在するスピン状態の評価と表面バンド状態の評価を行い、トポロジカル絶縁性を評価する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)