Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018042956) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, COMPOSITION DE RÉSINE ACTIVE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM ACTIF SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/042956 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/027019
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 26.07.2017
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
12
des alcools ou des phénols monohydriques
16
des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
18
avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30
Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32
Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
崎田 享平 SAKITA Kyohei; JP
加藤 啓太 KATO Keita; JP
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
小島 雅史 KOJIMA Masafumi; JP
後藤 研由 GOTO Akiyoshi; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16794330.08.2016JP
Titre (EN) PATTERN FORMING METHOD, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, COMPOSITION DE RÉSINE ACTIVE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM ACTIF SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a pattern forming method which exhibits excellent roughness performance such as LWR and excellent EL; an active light sensitive or radiation sensitive resin composition; an active light sensitive or radiation sensitive film; and a method for manufacturing an electronic device. This pattern forming method comprises: a step 1 for forming a film with use of an active light sensitive or radiation sensitive resin composition that contains a resin A having an acid group and an acid-decomposable group which produces an acid group when decomposed by the action of an acid, a photoacid generator B, a basic compound C and a compound D which produces an acid when decomposed by the action of light or an acid produced from the photoacid generator B; a step 2 for exposing the film to light; and a step 3 for forming a pattern by developing the light-exposed film with use of a developer liquid that contains an organic solvent. The basic compound C has a degree of basicity enough for neutralizing the acid group of the resin A; and the acid produced from the compound D has a weaker acidity than the acid produced from the photoacid generator B.
(FR) La présente invention concerne : un procédé de formation de motifs, qui présente d’excellentes performances de rugosité telles que LWR et un excellent EL, une composition de résine active sensible à la lumière ou sensible au rayonnement, un film actif sensible à la lumière ou sensible au rayonnement et un procédé de fabrication d’un dispositif électronique. Ledit procédé de formation de motifs comprend : une étape 1 pour former un film à l’aide d’une composition de résine active, sensible à la lumière ou sensible au rayonnement, qui contient une résine A ayant un groupe d’acides et un groupe décomposable d’acides qui produit un groupe d’acides lorsqu’il est décomposé par l’action d’un acide, un générateur de photoacide B, un composé basique C et un composé D qui produit un acide lorsqu’il est décomposé par l’action de la lumière ou d’un acide produit par le générateur de photoacide B ; une étape 2 pour exposer le film à la lumière ; et une étape 3 pour former un motif par développement du film exposé à la lumière à l’aide d’un liquide développeur qui contient un solvant organique. Le composé basique C a un degré de basicité suffisant pour neutraliser le groupe d’acides de la résine A ; et l’acide produit par le composé D a une acidité plus faible que celle de l’acide produit par le générateur de photoacide B.
(JA) LWR等のラフネス性能、および、ELに優れる、パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。パターン形成方法は、酸基と酸の作用により分解して酸基を生じる酸分解性基とを有する樹脂Aと、光酸発生剤Bと、塩基性化合物Cと、光又は上記光酸発生剤Bから発生する酸の作用により分解して酸を発生する化合物Dと、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程1と、上記膜を露光する工程2と、露光された上記膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像することによって、パターンを形成する工程3と、を有し、上記塩基性化合物Cは、上記樹脂Aが有する酸基を中和できる塩基性度を有し、上記化合物Dから発生する酸は、上記光酸発生剤Bから発生する酸よりも弱い酸性度を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)