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1. (WO2018042890) CORPS SOUDÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
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N° de publication : WO/2018/042890 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/025213
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 11.07.2017
CIB :
B23K 35/14 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,B23K 35/26 (2006.01) ,C22C 13/00 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
35
Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage
02
caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
12
non spécialement conçus pour servir d'électrodes
14
pour le brasage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
20
Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
35
Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage
22
caractérisés par la composition ou la nature du matériau
24
Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage
26
dont le principal constituant fond à moins de 400C
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
13
Alliages à base d'étain
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
30
Assemblage de circuits imprimés avec des composants électriques, p.ex. avec une résistance
32
Connexions électriques des composants électriques ou des fils à des circuits imprimés
34
Connexions soudées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
谷垣 剛司 TANIGAKI Tsuyoshi; JP
Mandataire :
大岩 増雄 OIWA Masuo; JP
竹中 岑生 TAKENAKA Mineo; JP
村上 啓吾 MURAKAMI Keigo; JP
吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16874331.08.2016JP
Titre (EN) BONDED BODY AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) CORPS SOUDÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) 接合体およびこれを用いた半導体装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor element 11 is bonded to an insulating substrate 14 by means of a bonding layer which is obtained by: forming a network of a porous metal 30 based on a porous metal body 3, said porous metal 30 being formed using a bonded body 50 that comprises the porous metal body 3, which is provided with pores 2 at a volume ratio of from 65% to 90% (inclusive), and a low-melting-point metal 1 that is mainly composed of Sn and covers the porous metal body 3; and filling the spaces among the network of the porous metal 30 with an intermetallic compound 10 that is formed from the low-melting-point metal 1 and a part of the porous metal body 3. Consequently, the occurrence of cracks is suppressed by means of the network of the porous metal.
(FR) L'invention porte sur un élément semi-conducteur (11) qui est lié à un substrat isolant (14) au moyen d'une couche de liaison qui est obtenue : par formation d'un réseau d'un métal poreux (30) à base d'un corps métallique poreux (3), ledit métal poreux (30) étant formé à l'aide d'un corps lié (50) qui comprend le corps métallique poreux (3), qui est pourvu de pores (2) à un rapport volumique de 65 % à 90 % (inclus), et un métal à bas point de fusion (1) qui est principalement composé de Sn et qui recouvre le corps métallique poreux (3) ; par remplissage des espaces entre le réseau du métal poreux (30) avec un composé intermétallique (10) qui est formé du métal à bas point de fusion (1) et d'une partie du corps métallique poreux (3). Par conséquent, l'apparition de fissures est supprimée au moyen du réseau du métal poreux.
(JA) 空孔2が体積比率で65%以上、90%以下で設けられた多孔質金属体3と、Snを主成分とし、多孔質金属体3を被覆する低融点金属1とを備える接合体50を用いて形成された多孔質金属体3に基づく多孔質金属30をネットワークとし、多孔質金属30のネットワークの間を、多孔質金属体3の一部と低融点金属1とで形成された金属間化合物10で埋められた接合層により、半導体素子11を絶縁基板14に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)