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1. (WO2018042871) COMPOSÉ DE DIAZADIÉNYLE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE MINCE
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N° de publication : WO/2018/042871 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/024662
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 05.07.2017
CIB :
C07C 251/08 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,C07F 15/04 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
251
Composés contenant des atomes d'azote, liés par des liaisons doubles à un squelette carboné
02
contenant des groupes imino
04
ayant des atomes de carbone de groupes imino liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques
06
à des atomes de carbone d'un squelette carboné saturé
08
étant acyclique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06
caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18
à partir de composés organométalliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
15
Composés contenant des éléments du 8ème groupe de la classification périodique
04
Composés du nickel
Déposants : ADEKA CORPORATION[JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventeurs : YOSHINO, Tomoharu; JP
ENZU, Masaki; JP
NISHIDA, Akihiro; JP
YAMASHITA, Atsushi; JP
Mandataire : SOGA, Michiharu; JP
KAJINAMI, Jun; JP
OHYA, Kazuhiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-16658829.08.2016JP
Titre (EN) DIAZADIENYL COMPOUND, RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ DE DIAZADIÉNYLE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE MINCE
(JA) ジアザジエニル化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé :
(EN) A diazadienyl compound represented by general formula (I). In general formula (I), R1 represents a C1-6 linear or branched alkyl group, and M represents a nickel atom or manganese atom. In particular, a compound in which R1 in general formula (I) is a methyl group is suitable as a raw material for forming a thin film by CVD or ALD due to having high vapor pressure and high thermal decomposition onset temperature.
(FR) L'invention concerne un composé diazadiényle représenté par la formule générale (I). Dans la formule générale (I), R 1 représente un groupe alkyle linéaire ou ramifié en C1-6, et M représente un atome de nickel ou un atome de manganèse. En particulier, l'invention concerne un composé dans lequel R 1 dans la formule générale (I) est un groupe méthyle qui est approprié en tant que matière première pour former une couche mince par CVD ou ALD grâce à une pression de vapeur élevée et une température de départ de décomposition thermique élevée.
(JA) 下記一般式(I)で表されるジアザジエニル化合物。上記一般式(I)において、R1は炭素数1~6の直鎖又は分岐状のアルキル基を表し、Mはニッケル原子又はマンガン原子を表す。特に、上記一般式(I)において、R1がメチル基である化合物は、蒸気圧が高く、熱分解開始温度が高いため、CVD法又はALD法による薄膜形成用原料に好適である。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)