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1. (WO2018042792) SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE

Pub. No.:    WO/2018/042792    International Application No.:    PCT/JP2017/020513
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 02 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/20
C23C 14/06
C23C 14/34
H01L 21/203
H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/786
H01L 29/812
H01L 33/32
H01S 5/042
H01S 5/183
H01S 5/343
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国立研究開発法人科学技術振興機構
Inventors: FUJIOKA Hiroshi
藤岡 洋
UENO Kohei
上野 耕平
Title: SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Abstract:
Ce semi-conducteur composé constitue un dispositif à semi-conducteur à haute performance en ayant une concentration d'électrons élevée supérieure ou égale à 5×1019 cm-3, et en présentant une mobilité d'électrons supérieure ou égale à 46 cm2/V∙s, et une faible résistance électrique. La présente invention concerne un semi-conducteur au nitrure du groupe 13 du type à conductivité n qui peut être formé sous forme de film à une température dans une plage allant d'une température ambiante à 700 °C sur un substrat ayant une grande surface.