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1. (WO2018042755) DISPOSITIF DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE

Pub. No.:    WO/2018/042755    International Application No.:    PCT/JP2017/016188
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Apr 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: C23C 16/44
H01L 21/31
H01L 21/316
H01L 51/50
H05B 33/04
H05B 33/10
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
株式会社日本製鋼所
Inventors: WASHIO, Keisuke
鷲尾 圭亮
MATSUMOTO, Tatsuya
松本 竜弥
Title: DISPOSITIF DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE
Abstract:
Cette invention concerne un dispositif de croissance de couche atomique, comprenant : un récipient de formation de film (11) dans lequel un traitement de formation de film est effectué ; un étage (14) pour retenir un substrat (100), l'étage étant disposé dans le récipient de formation de film (11) et étant apte à se déplacer vers le haut et vers le bas ; une butée d'étage (17) pour arrêter la montée de l'étage (14) et pour venir en contact avec l'étage (14) et séparer ainsi un espace de formation de film (S) dans lequel est effectué le traitement de formation de film et un espace de transport dans lequel est effectué le transport du substrat (100) ; un matériau de prévention d'adhésion de bord périphérique d'étage (15) pour recouvrir un bord périphérique de l'étage (14) ; et un matériau de prévention d'adhésion de butée d'étage (24) disposé sur la butée d'étage (17).