WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018042632) MOSFET ET CIRCUIT DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/042632    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075870
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 02.09.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : ARAI, Daisuke; (JP).
HISADA, Shigeru; (JP).
KITADA, Mizue; (JP).
ASADA, Takeshi; (JP)
Mandataire : MATSUO, Nobutaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MOSFET AND POWER CONVERTING CIRCUIT
(FR) MOSFET ET CIRCUIT DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) MOSFET及び電力変換回路
Abrégé : front page image
(EN)A MOSFET 100 of the present invention is used in a power converting circuit provided with a reactor, a power supply, a MOSFET, and a rectifying element. The MOSFET 100 is characterized by being provided with a semiconductor substrate having super junction structures in an n-type column region and p-type column region, wherein the n-type column region and p-type column region are formed such that the total impurity amount of the n-type column region is higher than that of the p-type column region; and when the MOSFET is turned off, a first period in which a drain current decreases, a second period in which the drain current increases, and a third period in which the drain current decreases again, appear in this order from a time when the drain current begins to decrease to a time when the drain current firstly becomes 0. According to the MOSFET of the present invention, when the MOSFET is turned off, a surge voltage can be made smaller than that of the conventional MOSFET and thus, the MOSFET can be applied to various power converting circuits.
(FR)Un MOSFET 100 selon la présente invention est utilisé dans un circuit de conversion de puissance pourvu d'un réacteur, d'une alimentation électrique, d'un MOSFET et d'un élément de redressement. Le MOSFET 100 est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'un substrat semi-conducteur ayant des structures de superjonction dans une région de colonne de type n et une région de colonne de type p, la région de colonne de type n et la région de colonne de type p étant formées de telle sorte que la quantité d'impureté totale de la région de colonne de type n est supérieure à celle de la région de colonne de type p ; et lorsque le MOSFET est éteint, une première période au cours de laquelle un courant de drain diminue, une deuxième période au cours de laquelle le courant de drain augmente, et une troisième période au cours de laquelle le courant de drain diminue à nouveau, apparaissent dans cet ordre à partir du moment où le courant de drain commence à décroître jusqu'au moment où le courant de drain devient 0 pour la première fois. Selon le MOSFET de la présente invention, lorsque le MOSFET est éteint, une surtension transitoire peut être rendue plus petite que celle du MOSFET classique et, par conséquent, le MOSFET peut être appliqué à divers circuits de conversion de puissance.
(JA)本発明のMOSFET100は、リアクトルと、電源と、MOSFETと、整流素子とを備える電力変換回路に用いるMOSFETであって、n型コラム領域及びp型コラム領域でスーパージャンクション構造が構成されている半導体基体を備え、n型コラム領域及びp型コラム領域は、n型コラム領域の不純物総量がp型コラム領域の不純物総量よりも高くなるように形成され、MOSFETをターンオフしたとき、ドレイン電流が減少し始めてからドレイン電流が最初に0となるまでの間に、ドレイン電流が減少する第1期間と、ドレイン電流が増加する第2期間と、ドレイン電流が再び減少する第3期間とがこの順番に出現するように動作することを特徴とする。 本発明のMOSFETによれば、MOSFETをターンオフしたときに、サージ電圧を従来よりも小さくすることができるため、様々な電力変換回路に適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)