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1. (WO2018042552) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/042552 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/075488
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2016
CIB :
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H05B 6/68 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
6
Chauffage par champs électriques, magnétiques ou électromagnétiques
64
Chauffage par micro-ondes
66
Circuits
68
pour le contrôle ou la commande
Déposants :
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs :
廣地 志有 HIROCHI, Yukitomo; JP
柳沢 愛彦 YANAGISAWA, Yoshihiko; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
Abrégé :
(EN) Provided is a technology having: a heating device that heats a substrate using electromagnetic waves; a non-contact-type temperature measuring device that measures the temperature of the substrate; and a control unit, which acquires temperature data measured by the temperature measuring device, and which compares the temperature data with an upper limit temperature and a lower limit temperature, which have been set as threshold values, said control unit performing a control so as to reduce output of the heating device or to turn off a power supply of the heating device, in the cases where the temperature data is higher than the upper limit temperature or the temperature data is lower than the lower limit temperature. Consequently, an electromagnetic wave heat treatment technology whereby deformation or breakage of the substrate can be suppressed can be provided.
(FR) L'invention concerne une technologie comprenant : un dispositif de chauffage qui chauffe un substrat à l'aide d'ondes électromagnétiques; un dispositif de mesure de température de type sans contact qui mesure la température du substrat; et une unité de commande, qui acquiert des données de température mesurées par le dispositif de mesure de température, et qui compare les données de température avec une température limite supérieure et une température limite inférieure, qui ont été définies comme valeurs de seuil, ladite unité de commande effectuant une commande de manière à réduire la sortie du dispositif de chauffage ou à couper une alimentation électrique du dispositif de chauffage, lorsque les données de température sont supérieures à la température limite supérieure ou lorsque les données de température sont inférieures à la température limite inférieure. Par conséquent, il est possible de fournir une technologie de traitement thermique par ondes électromagnétiques qui permet de supprimer la déformation ou la rupture du substrat.
(JA) 電磁波を用いて基板を加熱する加熱装置と、前記基板の温度を測定する非接触式の温度測定装置と、前記温度測定装置によって測定された温度データを取得し、前記温度データと予め設定していた閾値としての上限温度と下限温度との比較を行い、前記温度データが前記上限温度よりも高い場合、または、前記温度データが前記下限温度よりも低い場合には、前記加熱装置の出力を低くするか、または、前記加熱装置の電源をOFFとするように制御する制御部と、を有する技術を提供する。これにより、基板の変形または破損を抑制することが可能となる電磁波熱処理技術を提供することができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)