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1. (WO2018041778) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/041778 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/071550
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 28.08.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs : BERGBAUER, Werner; DE
HERTKORN, Joachim; DE
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 116 425.902.09.2016DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Abrégé :
(EN) The invention provides an optoelectronic component (10), comprising an active layer, which has a multiple quantum well structure (5), wherein the multiple quantum well structure (5) includes quantum well layers (51), which comprise Alx1Iny1Ga1-x1-y1N with 0 ≤ x1 < 0.03, 0 ≤ y1 ≤ 0.1 und x1 + y1 ≤ 1, and includes barrier layers (52), which comprise Alx2Iny2Ga1-x2-y2N with 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 0.02 und x2 + y2 ≤ 1, wherein the barrier layers (52) have a spatially varying aluminium content x2, a maximum value of the aluminium content in the barrier layers (52) is x2, max ≥ 0.05, and a minimum value of the aluminium content in the barrier layers (52) is x2, min < 0.05.
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (10) comprenant une couche active qui présente une structure à multipuits quantiques (5), cette structure à multipuits quantiques (5) contenant des couches de puits quantiques (51) qui présentent le système de matériaux Alx1Iny1Ga1-x1-y1N, étant entendu que 0 ≤ x1 < 0,03, 0 ≤ y1 ≤ 0,1 et x1 + y1 ≤ 1, et des couches barrières (52) qui présentent le système de matériaux Alx2Iny2Ga1-x2-y2N, étant entendu que 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 0,02 et x2 + y2 ≤ 1. Les couches barrières (52) présentent une teneur en aluminium variant dans l'espace x2, une valeur maximale de la teneur en aluminium dans les couches barrières (52) x2,max est ≥ 0,05 et une valeur minimale de la teneur en aluminium dans les couches barrières (52) x2,min est < 0,05.
(DE) Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) angegeben, mit einer aktiven Schicht, die eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Mehrfach-Quantentopfstruktur (5) Quantentopfschichten (51) enthält, die Alx1Iny1Ga1-x1-y1N mit 0 ≤ x1 < 0,03, 0 ≤ y1 ≤ 0,1 und x1 + y1 ≤ 1 aufweisen, und Barriereschichten (52) enthält, die Alx2Iny2Ga1-x2-y2N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 0,02 und x2 + y2 ≤ 1 aufweisen, wobei die Barriereschichten (52) einen räumlich variierenden Aluminiumgehalt x2 aufweisen, ein Maximalwert des Aluminiumgehalts in den Barriereschichten (52) x2, max ≥ 0,05 beträgt, und ein Minimalwert des Aluminiumgehalts in den Barriereschichten (52) x2,min < 0,05 beträgt.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)