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1. (WO2018041335) MATÉRIAU ACTIF TRIDIMENSIONNEL ASSEMBLÉ À PARTIR DE PAILLETTES SEMI-CONDUCTEURS BIDIMENSIONNELS POUR DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES
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N° de publication :    WO/2018/041335    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/070386
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 30.08.2016
CIB :
C01G 1/12 (2006.01), C01G 39/06 (2006.01), C01B 17/20 (2006.01), C01B 19/00 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : TOYOTA MOTOR EUROPE [BE/BE]; Avenue du Bourget 60 1140 Brussels (BE).
DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [NL/NL]; P.O. Box 5 2600 AA Delft (NL)
Inventeurs : KINGE, Sachin; (BE).
LAUTH, Jannika; (NL).
SIEBBELES, Laurens D.A.; (NL)
Mandataire : HART-DAVIS, Jason; (FR).
HUBERT, Philippe; (FR).
CHANTRAINE, Sylvie; (FR).
LE ROUX, Martine; (FR).
MARRO, Nicolas; (FR).
MENA, Sandra; (FR).
MENDELSOHN, Isabelle; (FR).
NEVANT, Marc; (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL ASSEMBLED ACTIVE MATERIAL FROM TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR FLAKES FOR OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) MATÉRIAU ACTIF TRIDIMENSIONNEL ASSEMBLÉ À PARTIR DE PAILLETTES SEMI-CONDUCTEURS BIDIMENSIONNELS POUR DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to stacks of flakes of chalcogenide semiconductors, which can be used in opto-electronic devices. The invention provides a process for preparing stacks of metal chalcogenide flakes comprising the steps of: (a) reacting together a source of the metal atom of the target metal chalcogenide with a source of the chalcogenide atom of the target metal chalcogenide, in the presence of a spacer, so as to produce flakes of the metal chalcogenide; (b) depositing metal chalcogenide flakes obtained using step (a) onto a substrate to form a stack of assembled metal chalcogenide flakes, wherein the spacer contains an alkyl chain linked to a functional group able to bond to the metal chalcogenide surface, said alkyl chain having a length of less than 18 carbon atoms, preferably between 6 and 14 carbon atoms.
(FR)La présente invention concerne des empilements de paillettes de semi-conducteurs de chalcogénure, qui peuvent être utilisés dans des dispositifs opto-électroniques. L'invention concerne un procédé de préparation d'empilements de paillettes de chalcogénure métallique comprenant les étapes consistant à : (a) faire réagir ensemble une source de l'atome métallique du chalcogénure métallique cible avec une source de l'atome de chalcogénure du chalcogénure métallique cible, en présence d'un espaceur, de manière à produire des paillettes du chalcogénure métallique; (b) déposer les paillettes de chalcogénure métallique obtenues à l'aide de l'étape (a) sur un substrat pour former un empilement de paillettes de chalcogénure métallique assemblées, l'espaceur contenant une chaîne alkyle liée à un groupe fonctionnel capable de se lier à la surface du chalcogénure métallique, ladite chaîne alkyle ayant une longueur inférieure à 18 atomes de carbone, de préférence entre 6 et 14 atomes de carbone.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)