WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018041184) PHOTODIODE À ONDE RAPIDE À SURFACE MAGNÉTIQUE AVEC FILM MINCE MAGNÉTO-OPTIQUE SANS FUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/041184 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/099821
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
G02F 1/095 (2006.01) ,G02F 1/09 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN UNIVERSITY[CN/CN]; No. 3688 Nanhai Avenue, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518060, CN
Inventeurs : OUYANG, Zhengbiao; CN
ZHENG, Yaoxian; CN
Données relatives à la priorité :
201610798590.631.08.2016CN
Titre (EN) MAGNETIC SURFACE FAST WAVE PHOTODIODE WITH LEAKLESS MAGNETO-OPTICAL THIN FILM
(FR) PHOTODIODE À ONDE RAPIDE À SURFACE MAGNÉTIQUE AVEC FILM MINCE MAGNÉTO-OPTIQUE SANS FUITE
(ZH) 无泄漏磁光薄膜磁表面快波光二极管
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed is a magnetic surface fast wave photodiode with a leakless magneto-optical thin film, comprising an optical input port (1), an optical output port (2), a magneto-optical thin film (3), a background medium (4), two wave-absorbing layers (5, 6) and a bias magnetic field (H0). The magneto-optical thin film (3) is arranged in the background medium (4). The magneto-optical film thin (3) uses a magneto-optical material. The photodiode and an isolator are composed of the magneto-optical material and the background medium (4). The left end of the photodiode and the isolator is the optical input port (1), and the right end thereof is the optical output port (2). The surfaces of the magneto-optical material and the background medium (4) are provided with magnetic surface fast waves. The bias magnetic field (H0) is arranged at the magneto-optical thin film. The photodiode has a simple structure, is convenient to implement, has a high optical transmission efficiency, is small in size, is convenient to integrate, is applicable to large-scale optical path integration, and has broad application prospects.
(FR) L'invention concerne une photodiode à onde rapide de surface magnétique avec un film mince magnéto-optique sans fuite, comprenant un port d'entrée optique (1), un port de sortie optique (2), un film mince magnéto-optique (3), un milieu d'arrière-plan (4), deux couches d'absorption d'onde (5, 6) et un champ magnétique de (H0). Le film mince magnéto-optique (3) est disposé dans le support d'arrière-plan (4). Le film magnéto-optique mince (3) utilise un matériau magnéto-optique. La photodiode et un isolateur sont composés du matériau magnéto-optique et du support d'arrière-plan (4). L'extrémité gauche de la photodiode et l'isolateur sont le port d'entrée optique (1), et l'extrémité droite de celle-ci est le port de sortie optique (2). Les surfaces du matériau magnéto-optique et du support d'arrière-plan (4) sont pourvues d'ondes rapides de surface magnétique. Le champ magnétique de polarisation (H0) est agencé au niveau du film mince magnéto-optique. La photodiode a une simple structure, est pratique à mettre en œuvre, a une efficacité de transmission optique élevée, est de petite taille, est pratique à intégrer, est applicable à une intégration de trajet optique à grande échelle, et présente de vastes perspectives d'application.
(ZH) 一种无泄漏磁光薄膜磁表面快波光二极管,包括一个光输入端口(1)、一个光输出端口(2)、一个磁光薄膜(3)、背景介质(4)、两个吸波层(5、6)和一个偏置磁场(H0);磁光薄膜(3)设置于背景介质(4)中,磁光薄膜(3)采用磁光材料,光二极管和隔离器由磁光材料和背景介质(4)构成,光二极管和隔离器的左端为光输入端(1),其右端为光输出端(2),磁光材料与背景介质(4)的表面处为磁表面快波,磁光薄膜处设置有偏置磁场(H0)。光二极管具有结构简单、便于实现、光传输效率高、体积小,便于集成,适合应用于大规模光路集成,具有广泛的应用前景。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)