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1. (WO2018041103) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
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N° de publication :    WO/2018/041103    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/099524
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : NAJING TECHNOLOGY CORPORATION LIMITED [CN/CN]; Room 405~407, Building 1 No.500, Qiuyi Road, Binjiang District Hangzhou, Zhejiang 310052 (CN)
Inventeurs : DU, Yong; (CN)
Mandataire : KANGXIN PARTNERS, P.C.; Floor 16, Tower A, Indo Building A48 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610797825.X 31.08.2016 CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(ZH) 发光器件
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting device. The light-emitting device comprises a first substrate (10), a pixel isolation structure (20), an electroluminescent structure (30) and a second substrate (40), wherein the first substrate and the second substrate are oppositely arranged, and the second substrate is arranged at a side, away from the first substrate, of the pixel isolation structure; the pixel isolation structure is arranged on a surface at one side of the first substrate, and the pixel isolation structure forms a plurality of sub-pixel regions isolated from each other; a part of the first substrate corresponding to each sub-pixel region is provided with the electroluminescent structure. The sub-pixel region further comprises: a quantum dot layer (50) provided in at least one sub-pixel region, and the quantum dot layer in each sub-pixel region is located at a side, away from the first substrate, of the electroluminescent structure or between the electroluminescent structure and the first substrate. The light-emitting device effectively prevents a sub-pixel of an electroluminescent structure from exciting an adjacent photoluminescent quantum dot layer to emit light, and prevents a black matrix from absorbing light rays, thus improving the light-emitting efficiency of the light-emitting device.
(FR)Un dispositif électroluminescent. Le dispositif électroluminescent comprend un premier substrat (10), une structure d'isolation de pixels (20), une structure électroluminescente (30) et un second substrat (40), le premier substrat et le second substrat étant agencés de façon opposée, et le second substrat étant disposé sur un côté, à l'opposé du premier substrat, de la structure d'isolation de pixels; la structure d'isolation de pixels est agencée sur une surface d'un côté du premier substrat, et la structure d'isolation de pixels forme une pluralité de régions de sous-pixels isolées les unes des autres; une partie du premier substrat correspondant à chaque région de sous-pixel est pourvue de la structure électroluminescente. La région de sous-pixel comprend en outre : une couche de points quantiques (50) disposée dans au moins une région de sous-pixel, et la couche de points quantiques dans chaque région de sous-pixel est située sur un côté, à l'opposé du premier substrat, de la structure électroluminescente ou entre la structure électroluminescente et le premier substrat. Le dispositif électroluminescent empêche efficacement un sous-pixel d'une structure électroluminescente d'exciter une couche de points quantiques photo-luminescents adjacents pour émettre de la lumière, et empêche une matrice noire d'absorber les rayons lumineux, améliorant ainsi l'efficacité d'émission de lumière du dispositif électroluminescent.
(ZH)一种发光器件。该发光器件包括第一基板(10)、像素隔离结构(20)、电致发光结构(30)和第二基板(40),第一基板与第二基板相对设置,且第二基板设置于像素隔离结构的远离第一基板的一侧,像素隔离结构设置于第一基板一侧的表面上,像素隔离结构形成多个相互隔离的子像素区域,各子像素区域对应的部分第一基板上设置有电致发光结构,子像素区域还包括:量子点层(50),设置于至少一个子像素区域中,且各子像素区域中的量子点层位于电致发光结构的远离第一基板的一侧或位于电致发光结构与第一基板之间。该发光器件有效地防止电致发光结构的子像素激发相邻的光致发光量子点层发光,避免了黑色矩阵对光线的吸收,提高了发光器件的发光效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)