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1. (WO2018041082) DISPOSITIF INTÉGRANT UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/041082    International Application No.:    PCT/CN2017/099402
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/02
H01L 27/06
H01L 29/06
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
无锡华润上华科技有限公司
Inventors: GU, Yan
顾炎
CHENG, Shikang
程诗康
ZHANG, Sen
张森
Title: DISPOSITIF INTÉGRANT UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Un dispositif intégrant un transistor à effet de champ à jonction (JFET) comprend : une électrode de drain (201), ayant un premier type de conductivité, une portion de l'électrode de drain (201) étant dans une région JFET et l'autre portion étant dans une région de dispositif d'alimentation; une région de premier type de conductivité (214), disposée sur une surface avant de l'électrode de drain (201), une portion de la région de premier type de conductivité (214) étant située dans la région JFET et l'autre portion étant située dans la région de dispositif d'alimentation. La région JFET comprend : une électrode de source JFET (208), ayant un premier type de conductivité; une électrode métallique (212), formée sur l'électrode de source JFET (208) et en contact avec l'électrode de source JFET (208); des structures de région de puits composite, ayant un second type de conductivité et étant disposées dans la région de premier type de conductivité (214), les structures de région de puits composites comprenant un premier puits (202) et un second puits (205) situé dans le premier puits (202), la concentration ionique du second puits (205) étant supérieure à la concentration ionique du premier puits (202). Une structure de région de puits composite est formée sur chacun des deux côtés de l'électrode de source JFET (208), l'électrode de source JFET (208) s'étendant latéralement dans le premier puits (202) et le second puits (205), et le premier type de conductivité étant opposé au second type de conductivité; et une électrode de grille métallique JFET (213), disposée sur les structures de puits composites sur les deux côtés de l'électrode de source JFET (208).