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1. (WO2018040973) COMPOSANT INTÉGRÉ À UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION À MODE APPAUVRISSEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT

Pub. No.:    WO/2018/040973    International Application No.:    PCT/CN2017/098314
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/06
H01L 29/10
H01L 29/66
H01L 29/808
H01L 21/265
H01L 21/8234
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
无锡华润上华科技有限公司
Inventors: GU, Yan
顾炎
CHENG, Shikang
程诗康
ZHANG, Sen
张森
Title: COMPOSANT INTÉGRÉ À UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION À MODE APPAUVRISSEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT
Abstract:
Un composant intégré à un transistor à effet de champ à jonction à mode appauvrissement et un procédé de fabrication du composant. Le composant comprend : des régions de puits d'un second type de conductivité électrique et formées dans une première région de conductivité électrique (214); des sources JFET (210) d'un premier type de conductivité électrique et formées dans les régions de puits correspondantes; des électrodes métalliques (212) des sources JFET formées de manière correspondante sur les sources JFET (210) et en contact avec les sources JFET (210); une région de canal transversal (208) du premier type de conductivité électrique, formée entre deux sources JFET adjacentes (210), et ayant l'une ou l'autre extrémité en contact avec les deux sources JFET adjacentes (210); et des grilles métalliques JFET (213) formées sur la région de puits.