Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018040865) DISPOSITIF VDMOS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/040865    International Application No.:    PCT/CN2017/096595
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 10 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 21/28
H01L 29/423
H01L 29/78
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
无锡华润上华科技有限公司
Inventors: BIAN, Zheng
卞诤
Title: DISPOSITIF VDMOS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un dispositif VDMOS et son procédé de fabrication. Le procédé consiste à : former une rainure dans un substrat semi-conducteur, la rainure comprenant une première zone de rainure, une deuxième zone de rainure et une troisième zone de rainure communiquant avec la première zone de rainure et la deuxième zone de rainure, et la largeur de la première zone de rainure étant supérieure aux largeurs de la deuxième zone de rainure et de la troisième zone de rainure ; former une couche d'isolation sur le substrat semi-conducteur ; former une première couche de silicium polycristallin sur la couche d'isolation ; retirer une partie de la première couche de silicium polycristallin ; la première couche de silicium polycristallin formée dans la première rainure étant utilisée en tant que première électrode d'une grille profonde ; retirer toute la couche d'isolation située sur la surface du substrat semi-conducteur et une partie de la couche d'isolation située dans la rainure ; former une couche d'oxyde de grille sur le substrat semi-conducteur ; former une seconde couche de silicium polycristallin sur la couche d'oxyde de grille ; retirer une partie de la seconde couche de silicium polycristallin ; et la seconde couche de silicium polycristallin formée dans la rainure étant utilisée en tant que seconde électrode d'une grille peu profonde.