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1. (WO2018040685) PROCÉDÉ DE CONSTRUCTION DIRECTIONNELLE D'HÉTÉROSTRUCTURE PAR GRAVURE SÉLECTIVE D'UN MATÉRIAU PHOTOCATALYTIQUE À BASE FERROÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/040685 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/089681
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 23.06.2017
CIB :
B01J 21/06 (2006.01) ,B01J 23/14 (2006.01) ,B01J 23/843 (2006.01) ,B01J 37/10 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF METAL RESEARCH CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No. 72, Wenhua Road, Shenhe District Shenyang, Liaoning 110016, CN
Inventeurs : LIU, Gang; CN
MA, Li; CN
ZHEN, Chao; CN
YANG, Yongqiang; CN
CHENG, Huiming; CN
Mandataire : SHENYANG UPDATE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; Room 1918, Tianshui e Cheng 6-1 Sanyi Street, Hunnan New District Shenyang, Liaoning 110180, CN
Données relatives à la priorité :
201610801007.205.09.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR DIRECTIONALLY CONSTRUCTING HETEROSTRUCTURE BY SELECTIVELY ETCHING FERROELECTRIC-BASED PHOTOCATALYTIC MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE CONSTRUCTION DIRECTIONNELLE D'HÉTÉROSTRUCTURE PAR GRAVURE SÉLECTIVE D'UN MATÉRIAU PHOTOCATALYTIQUE À BASE FERROÉLECTRIQUE
(ZH) 选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法
Abrégé : front page image
(EN) A method for directionally constructing a heterostructure by selectively etching a ferroelectric-based photocatalytic material, comprising: by using the feature that a ferroelectric field of a semiconductor ferroelectric material (barium titanate, lead titanate, bismuth ferrite or the like) induces a difference in surface charge property, so that negatively charged acid radical ions are preferentially and selectively adsorbed on a positively charged surface, placing the semiconductor ferroelectric material in a water solution containing etching acid, and selectively etching the surface of the ferroelectric material by means of a hydrothermal treatment process, to directionally construct a heterostructure on the surface of a ferroelectric substrate material. By means of the method, an optimal photocatalytic performance can be obtained by adjusting the type and concentration of acid, and a hydrothermal treatment temperature. The directional construction of a heterostructure facilitates the directional separation of photo-generated carriers, and can effectively improve the photocatalytic activity of the heterostructure.
(FR) L'invention concerne également un procédé de construction directionnelle d'une hétérostructure par gravure sélective d'un matériau photocatalytique à base ferroélectrique, comprenant: en utilisant la caractéristique selon laquelle un champ ferroélectrique d'un matériau ferroélectrique semi-conducteur (titanate de baryum, titanate de plomb, ferrite de bismuth ou similaire) induit une différence de propriété de charge de surface, de sorte que les ions de radicaux acides chargés négativement soient préférentiellement et sélectivement adsorbés sur une surface chargée positivement, placer le matériau ferroélectrique semi-conducteur dans une solution aqueuse contenant de l'acide de gravure, et à graver sélectivement la surface du matériau ferroélectrique au moyen d'un procédé de traitement hydrothermique, pour construire directionnellement une hétérostructure sur la surface d'un matériau de substrat ferroélectrique. Au moyen du procédé, une performance photocatalytique optimale peut être obtenue par réglage du type et de la concentration d'acide, et d'une température de traitement hydrothermique. La construction directionnelle d'une hétérostructure facilite la séparation directionnelle de porteurs photogénérés, et peut améliorer efficacement l'activité photocatalytique de l'hétérostructure.
(ZH) 一种选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法,利用半导体铁电材料(钛酸钡、钛酸铅、铁酸铋等)中的铁电场诱导表面带电属性的差异,导致带负电性的酸根离子优先选择性地吸附在带正电荷表面的特点,将半导体铁电材料放入含有刻蚀性酸的水溶液中,通过水热处理过程实现铁电材料表面的选择性刻蚀,在铁电基体材料表面定向构筑异质结构。该方法调节酸的种类、浓度以及水热处理温度可获得最优光催化性能。异质结构的定向构筑有利于光生载流子的定向分离,可有效提高异质结构的光催化活性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)