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1. (WO2018040683) DISPOSITIF DE GRAVURE HUMIDE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE POUR FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/040683 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/089369
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 21.06.2017
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/467 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
465
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
467
en utilisant des masques
Déposants :
中山大学 SUN YAT-SEN UNIVERSITY [CN/CN]; 中国广东省广州市 新港西路135号 No.135 Xingang West Road, Haizhu District Guangzhou Guangzhou, Guangdong 510275, CN
佛山市中山大学研究院 FOSHAN RESEARCH INSTITUTE OF SUN YAT-SEN UNIVERSITY [CN/CN]; 中国广东省佛山市南海区南海软件园信息大道崇贤楼A栋三层 3rd Floor, Chongxian Building, Software Park Nanhai Foshan, Guangdong 528222, CN
Inventeurs :
王钢 WANG, Gang; CN
闫林超 YAN, Linchao; CN
范冰丰 FAN, Bingfeng; CN
马学进 MA, Xuejin; CN
陈梓敏 CHEN, Zimin; CN
Mandataire :
广州圣理华知识产权代理有限公司 GUANGZHOU SHENGLIHUA-IP AGENT LTD.; 中国广东省广州市 天河区五山科华街251号乐天创意园A2栋7010、7016室 Room 7010 and 7016, Building A2, N° 251 Letian Creative Park Kehua Street, Wu Shan Tianhe Guangzhou, Guangdong 510640, CN
Données relatives à la priorité :
201610806112.505.09.2016CN
Titre (EN) WET ETCHING DEVICE AND WET ETCHING METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE HUMIDE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE POUR FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法
Abrégé :
(EN) A wet etching device and a wet etching method for an oxide semiconductor film. The wet etching device comprises: a manual sheet loading station (11), an etching paste spraying station (12), a reaction station (13), a cleaning station (14), an air-drying station (15), a pick-up station (16), a tooling tray recycling station (17), and a conveying apparatus. After being placed on a tooling tray (36) of the manual sheet loading station, a ZnO sheet sequentially passes the etching paste spraying station, the reaction station, the cleaning station, the air-drying station, and the pick-up station, and the empty tooling tray after pick-up is conveyed by the tooling tray recycling station to the manual sheet loading station for the next use. The wet etching device and the wet etching method can effectively alleviate the problem of lateral corrosion of ZnO films, and improve the product pass rate and the utilization rate of etching chemicals, and can be applied to large-scale continuous batch production.
(FR) L'invention concerne un dispositif de gravure humide et un procédé de gravure humide pour un film d'oxyde semi-conducteur. Le dispositif de gravure humide comprend : une station de chargement de feuille manuelle (11), une station de pulvérisation de pâte de gravure (12), une station de réaction (13), une station de nettoyage (14), une station de séchage d'air (15), une station de ramassage (16), une station de recyclage de plateau d'outillage (17), et un appareil de transport. Après avoir été placé sur un plateau d'outillage (36) de la station de chargement de feuille manuelle, une feuille de ZnO passe séquentiellement à la station de pulvérisation de pâte de gravure, à la station de réaction, à la station de nettoyage, à la station de séchage d'air, et la station de ramassage, et le plateau d'outillage vide après le ramassage est transporté par la station de recyclage de plateau d'outillage jusqu'à la station de chargement de feuille manuelle pour l'utilisation suivante. Le dispositif de gravure humide et le procédé de gravure humide peuvent atténuer efficacement le problème de corrosion latérale de films de ZnO, et améliorer le taux de passage du produit et le taux d'utilisation de produits chimiques de gravure, et peut être appliqué à la production par lot en continu à grande échelle.
(ZH) 一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,该湿法刻蚀设备包括:人工上片工位(11)、蚀刻膏喷涂工位(12)、反应工位(13)、清洗工位(14)、风干工位(15)、取料工位(16)、工装盘回收工位(17)和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘(36)后,依次经过蚀刻膏喷涂工位、反应工位、清洗工位、风干工位、取料工位,取料后空的工装盘由工装盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。可以有效地缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题,提高了产品生产的合格率和蚀刻药品的利用率,可适用于大规模批量连续生产。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)