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1. (WO2018040660) DIODE LASER ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/040660    International Application No.:    PCT/CN2017/087719
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jun 10 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 33/32
H01L 33/64
H01L 33/00
Applicants: XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.
厦门三安光电有限公司
Inventors: TENG, Yu-Tsai
邓有财
CHANG, Chia-Hao
张家豪
CHEN, Minghuai
陈明淮
QIU, Shutian
邱树添
Title: DIODE LASER ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L’invention concerne une diode laser et son procédé de fabrication. Les étapes du procédé de fabrication consistent : d’abord, à faire croître successivement une couche tampon (2), une couche de type n (3), une couche active (5) et une couche de type p (6) sur du saphir ; puis, à fabriquer une couche de contact de type p (7) sur la couche de type p (6) ; à incorporer une partie d’une bandelette de dissipateur thermique (8) dans un matériau adhésif pour fabriquer un substrat temporaire ; à souder la couche de contact de type p (7) au substrat temporaire ; puis, à retirer le substrat de saphir ; et à découper la plaquette résultante, et à retirer le matériau adhésif après découpe. La qualité de plan de clivage est améliorée, et, simultanément, la performance de dissipation thermique d’un dispositif est renforcée et les coûts de production sont réduits.