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1. (WO2018040660) DIODE LASER ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/040660 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/087719
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.[CN/CN]; No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventeurs : TENG, Yu-Tsai; CN
CHANG, Chia-Hao; CN
CHEN, Minghuai; CN
QIU, Shutian; CN
Données relatives à la priorité :
201610776951.731.08.2016CN
Titre (EN) LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE LASER ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种激光二极管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed are a laser diode and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises the following steps: firstly, successively growing a buffer layer (2), an N-type layer (3), an active layer (5) and a P-type layer (6) on sapphire; then, manufacturing a P-type contact layer (7) on the P-type layer (6); embedding a part of a heat sink strip (8) into an adhesive material to manufacture a temporary substrate; bonding the P-type contact layer (7) to the temporary substrate; then, peeling the sapphire substrate; and cutting the resulting wafer, and peeling the adhesive material after cutting. The quality of a cleavage plane is improved, and at the same time, the heat dissipation performance of a device is enhanced and the production costs are lowered.
(FR) L’invention concerne une diode laser et son procédé de fabrication. Les étapes du procédé de fabrication consistent : d’abord, à faire croître successivement une couche tampon (2), une couche de type n (3), une couche active (5) et une couche de type p (6) sur du saphir ; puis, à fabriquer une couche de contact de type p (7) sur la couche de type p (6) ; à incorporer une partie d’une bandelette de dissipateur thermique (8) dans un matériau adhésif pour fabriquer un substrat temporaire ; à souder la couche de contact de type p (7) au substrat temporaire ; puis, à retirer le substrat de saphir ; et à découper la plaquette résultante, et à retirer le matériau adhésif après découpe. La qualité de plan de clivage est améliorée, et, simultanément, la performance de dissipation thermique d’un dispositif est renforcée et les coûts de production sont réduits.
(ZH) 公开了一种激光二极管及其制作方法,首先依次在蓝宝石上生长缓冲层(2)、N型层(3)、活性层(5)、P型层(6),然后将P型层(6)上制作P型接触层(7),将散热条(8)部分镶嵌到胶材内,制作成临时衬底,将P型接触层(7)键合到临时衬底上,然后剥离蓝宝石衬底,对所得晶圆进行切割,切割后剥离胶材,在提高解理面质量的同时,提高器件散热性,降低生产成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)