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1. (WO2018040659) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/040659    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/087718
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100 (CN)
Inventeurs : HE, Anhe; (CN).
LIN, Su-Hui; (CN).
PENG, Kang-Wei; (CN).
HONG, Ling-Yuan; (CN).
HUANG, Yu-Chieh; (CN).
XIA, Zhanggen; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610758712.9 30.08.2016 CN
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a gallium nitride-based light emitting diode and a manufacturing method therefor, wherein a growth substrate (100) is provided on which a light emitting epitaxial layer including a first semiconductor layer (200), a light emitting layer (201) and a second semiconductor layer (202) is manufactured; an open structure is etched from the second semiconductor layer (202) and extends to the first semiconductor layer (200) such that part of the first semiconductor layer (200) is exposed; a first metal electrode layer (300) and a second metal electrode layer (400) are manufactured to respectively cover the exposed first semiconductor layer (200) and the second semiconductor layer (202); a metal adhesion layer (500) is manufactured and an opening is formed on the first metal electrode layer (300) and the second metal electrode layer (400), respectively; a semiconductor protective layer (600) is deposited on the above structure and an opening is formed to expose part of the metal adhesion layer (500) and the surface of the metal electrode layers (300, 400) as a package bonding area.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente à base de nitrure de gallium et son procédé de fabrication, un substrat de croissance (100) étant fournie sur laquelle une couche épitaxiale électroluminescente comprenant une première couche semi-conductrice (200), une couche électroluminescente (201) et une seconde couche semi-conductrice (202) est fabriquée; une structure ouverte est gravée à partir de la seconde couche semi-conductrice (202) et s'étend jusqu'à la première couche semi-conductrice (200) de telle sorte qu'une partie de la première couche semi-conductrice (200) est exposée; une première couche d'électrode métallique (300) et une seconde couche d'électrode métallique (400) sont fabriquées pour recouvrir respectivement la première couche semi-conductrice exposée (200) et la seconde couche semi-conductrice (202); une couche d'adhérence métallique (500) est fabriquée et une ouverture est formée sur la première couche d'électrode métallique (300) et la seconde couche d'électrode métallique (400), respectivement; une couche de protection semi-conductrice (600) est déposée sur la structure ci-dessus et une ouverture est formée pour exposer une partie de la couche d'adhérence métallique (500) et la surface des couches d'électrode métallique (300, 400) en tant que zone de liaison de boîtier.
(ZH)提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法,提供一生长基板(100),在生长基板(100)上制作发光外延层,其自下而上依次包括第一半导体层(200)、发光层(201)和第二半导体层(202),从第二半导体层(202)蚀刻出开口结构,且延伸至第一半导体层(200),使得部分第一半导体层(200)裸露,制作第一金属电极层(300)、第二金属电极层(400),分别覆盖于裸露的第一半导体层(200)和第二半导体层(202)之上,制作金属粘附层(500),并形成开口,分别形成于第一金属电极层(300)和第二金属电极层(400)之上,在上述结构上沉积半导体保护层(600),并形成开口,露出部分金属粘附层(500)以及金属电极层(300,400)表面,作为封装打线区。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)