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1. (WO2018040608) TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT DE MATRICE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2018/040608    International Application No.:    PCT/CN2017/083197
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat May 06 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 21/34
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: LIU, Wei
刘威
FANG, Jingang
方金钢
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT DE MATRICE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches minces d'oxyde et son procédé de fabrication, un substrat de matrice, et un dispositif d'affichage. Le procédé de préparation du transistor à couches minces d'oxyde consiste : à fournir un substrat ; à déposer un film de couche active, un film de couche d'isolation de grille, et un film de couche métallique de grille en séquence sur le substrat, et à effectuer un processus de formation de motifs sur le film de couche active, le film de couche d'isolation de grille et le film de couche métallique de grille afin de former une couche active, une couche d'isolation de grille et une couche métallique de grille ; et à déposer un film de couche d'isolation à une première température, et à effectuer un processus de formation de motif sur le film de couche d'isolation afin de former une couche d'isolation. Dans le processus de dépôt du film de couche d'isolation, une partie de la couche active qui ne chevauche pas la couche métallique de grille est rendue conductrice dans un conducteur. Le procédé de dépôt du film de couche d'isolation à la première température peut en outre provoquer une perte d'oxygène dans la couche active, de telle sorte que la conductivité électrique de la couche active est renforcée, et ainsi les propriétés électriques du transistor à film sont améliorées.