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1. (WO2018040571) PÂTE D'ALUMINIUM DE SURFACE ARRIÈRE À FAIBLE GAUCHISSEMENT POUR CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM CRISTALLIN
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N° de publication : WO/2018/040571 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/080436
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 13.04.2017
CIB :
H01B 1/22 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
20
Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur
22
le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
Déposants :
南通天盛新能源股份有限公司 NANTONG T-SUN NEW ENERGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省南通市 开发区新开镇富兴路67-7号内4幢 Room 4, No.67-7, Xingfu Road, Economic Development Zone Nantong, Jiangsu 226010, CN
Inventeurs :
朱鹏 ZHU, Peng; CN
Données relatives à la priorité :
201610752361.030.08.2016CN
Titre (EN) LOW-WARPAGE BACK SURFACE ALUMINUM PASTE FOR CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL
(FR) PÂTE D'ALUMINIUM DE SURFACE ARRIÈRE À FAIBLE GAUCHISSEMENT POUR CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM CRISTALLIN
(ZH) 一种晶体硅太阳电池用低翘曲背面铝浆
Abrégé :
(EN) A low-warpage back surface aluminum paste for a crystalline silicon solar cell. The paste is prepared from the following materials in parts by mass: 85-95 parts of aluminum powder, 0.1-0.5 parts of glass powder, 4-13 parts of organic carrier and 0.6-2 parts of additive. The glass powder with large particle sizes is used for effectively lowering the coefficient of expansion of the aluminum paste. In addition, as the content of the aluminum powder in the paste formulation is high, the content of aluminum in a back surface field is thus guaranteed while the printing wet weight of the aluminum paste is reduced, thereby achieving the purpose of reducing warpage of a silicon wafer without impairing the cell performance.
(FR) Une pâte d'aluminium de surface arrière à faible gauchissement pour une cellule solaire en silicium cristallin. La pâte est préparée à partir des matériaux suivants en parties en masse : de 85 à 95 parties de poudre d'aluminium, de 0,1 à 0,5 parties de poudre de verre, de 4 à 13 parties de support organique et de 0,6 à 2 parties d'additif. La poudre de verre ayant de grandes tailles de particules est utilisée pour abaisser efficacement le coefficient de dilatation de la pâte d'aluminium. De plus, étant donné que la teneur en poudre d'aluminium dans la formulation de pâte est élevée, la teneur en aluminium dans un champ de surface arrière est ainsi garantie tandis que le poids humide d'impression de la pâte d'aluminium est réduit, ce qui permet de réduire le gauchissement d'une tranche de silicium sans affecter les performances de la cellule.
(ZH) 一种晶体硅太阳电池用低翘曲背面铝浆,该浆料由以下质量份配比的原料制成:85-95份的铝粉,0.1-0.5份的玻璃粉,4-13份的有机载体,0.6-2份的添加剂;使用较大粒径的玻璃粉,能有效降低铝浆的膨胀系数。而且,该浆料配方中铝粉含量较高,在减小铝浆印刷湿重的同时保证了背电场中铝的含量,从而达到降低硅片翘曲值,但又不影响电池性能的目的。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)