Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018040563) NOUVELLE DIODE ZENER EN COUCHE MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/040563 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/079845
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 10.04.2017
CIB :
H01L 29/866 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
866
Diodes Zener
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
329
les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
Déposants :
佛山芯光半导体有限公司 FOSHAN TK SEMICONDUCTOR CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省佛山市 南海区新光源产业基地核心区A区7座三层302 Room 7-302 Block A Xinguangyuan Industrial Park, Nanhai District Foshan, Guangdong 528226, CN
Inventeurs :
何志 HE, Zhi; CN
Mandataire :
北京康信知识产权代理有限责任公司 KANGXIN PARTNERS, P.C.; 中国北京市 海淀区知春路甲48号盈都大厦A座16层 Floor 16, Tower A, Indo Building A48 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098, CN
Données relatives à la priorité :
201610800023.X31.08.2016CN
Titre (EN) NOVEL POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM ZENER DIODE AND FABRICATION METHOD THEREFOR
(FR) NOUVELLE DIODE ZENER EN COUCHE MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法
Abrégé :
(EN) Disclosed are a polycrystalline silicon thin-film Zener diode and a fabrication method therefor, comprising: a substrate (100), and a passivation layer A (200) and a polycrystalline silicon thin film (300) sequentially grown on the substrate (100), wherein an N-type doped region (301) is formed in a part of the polycrystalline silicon thin film (300), and a P-type doped region (302) is formed in another part of the polycrystalline silicon thin film (300); a passivation layer B (400), located in an upper surface region of the polycrystalline silicon thin film (300); an electrode (500) on the N-type doped region (301), the electrode (500) being located above the N-type doped region (301) and above a portion of the passivation layer (401); an electrode (600) on the P-type doped region (302), the electrode (600) being located above the P-type doped region (302) and above a portion of the passivation layer (402). Activating N-type dopants and P-type dopants by using laser annealing may improve the activation processes in a traditional high-temperature furnace, while featuring a short time and high flexibility.
(FR) L'invention concerne une diode Zener en couche mince de silicium polycristallin et son procédé de fabrication, comprenant : un substrat (100), et une couche de passivation a (200) et une couche mince de silicium polycristallin (300) cultivés séquentiellement sur le substrat (100), une région dopée de type N (301) étant formée dans une partie de la couche mince de silicium polycristallin (300), et une région dopée de type P (302) est formée dans une autre partie de la couche mince de silicium polycristallin (300); une couche de passivation B (400), située dans une région de surface supérieure de la couche mince de silicium polycristallin (300); une électrode (500) sur la région dopée de type N (301), l'électrode (500) étant située au-dessus de la région dopée de type N (301) et au-dessus d'une partie de la couche de passivation (401); une électrode (600) sur la région dopée de type P (302), l'électrode (600) étant située au-dessus de la région dopée de type P (302) et au-dessus d'une partie de la couche de passivation (402). L'activation de dopants de type N et de dopants de type P par l'utilisation d'un recuit laser peut améliorer les processus d'activation dans un four à haute température traditionnel, tout en présentant un temps court et une flexibilité élevée.
(ZH) 公开了一种多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,包括:衬底(100)以及在衬底(100)上依次生长的钝化层A(200)和多晶硅薄膜(300);在多晶硅薄膜(300)部分区形成的N型掺杂区(301);在多晶硅薄膜(300)另一部分形成的P型掺杂区(302);钝化层B(400),该钝化层B(400)位于多晶硅薄膜(300)的上表面区域;N型掺杂区(301)上的电极(500),该电极(500)位于N型掺杂区(301)的上方以及部分钝化层 (401)的上方;P型掺杂区(302)上的电极(600),该电极(600)位于P型掺杂区(302)的上方以及部分钝化层 (402)的上方,利用激光退火对N型掺杂剂与P型掺杂剂进行激活,改善了传统的高温炉激活工艺问题,时间短,灵活性高。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)