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1. (WO2018040555) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À LARGEUR DE RAIE ÉTROITE BASÉ SUR UNE SÉLECTION DE FRÉQUENCE D'ENSEMBLE DE FILTRAGE OPTIQUE À BANDE ÉTROITE À LONGUEUR D'ONDE UNIQUE
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N° de publication : WO/2018/040555 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/078720
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01S 5/065 (2006.01) ,H01S 5/14 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
065
Accrochage de modes; Suppression de modes; Sélection de modes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
14
Lasers à cavité externe
Déposants :
武汉光迅科技股份有限公司 ACCELINK TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 江夏区藏龙岛开发区潭湖路1号 1 Tanhu Road, Canglongdao Development Zone Jiangxia District Wuhan, Hubei 430205, CN
Inventeurs :
唐毅 TANG, Yi; CN
翟羽佳 ZHAI, Yujia; CN
柯威 KE, We; CN
陈义宗 CHEN, Yizong; CN
Mandataire :
北京天奇智新知识产权代理有限公司 BEIJING TIAN QI ZHI XIN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD; 中国北京市 海淀区蓟门里小区1幢316室(政法大厦) Room 316 Building 1 (Politics and Law Building) Ji Men Li, Hai Dian District Beijing 100088, CN
Données relatives à la priorité :
201610754820.929.08.2016CN
Titre (EN) NARROW LINEWIDTH SEMICONDUCTOR LASER BASED ON SINGLE-WAVELENGTH NARROWBAND OPTICAL FILTERING ASSEMBLY FREQUENCY SELECTION
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À LARGEUR DE RAIE ÉTROITE BASÉ SUR UNE SÉLECTION DE FRÉQUENCE D'ENSEMBLE DE FILTRAGE OPTIQUE À BANDE ÉTROITE À LONGUEUR D'ONDE UNIQUE
(ZH) 一种基于单波长窄带滤光组件选频的窄线宽半导体激光器
Abrégé :
(EN) A narrow linewidth external cavity semiconductor laser, comprising a semiconductor optical amplifier chip (1), a comb-shaped optical filter (3), a bandpass optical filter (4), a partial reflection sheet (5) and a collimated light beam coupling output assembly, wherein the collimated light beam coupling output assembly is composed of an isolator (6), a coupling lens (7) and an output optical fibre (8); a laser resonant cavity is formed by the partial reflection sheet (5) and a rear end face (1A) of the semiconductor optical amplifier chip (1); the comb-shaped optical filter (3) and the bandpass optical filter (4) form a single-channel narrowband optical filtering assembly, wherein the bandwidth of same enables the laser to perform single-mode lasing and the other modes are effectively restrained; the relative position of a longitudinal mode over the whole filtering band can be controlled by adjusting the temperature of the laser, so that the output wavelength and the power of the laser are controlled, and the laser is in the optimal working state; an etalon is used as the comb-shaped optical filter (3), so as to easily realize narrow linewidth output; and a commercial DWDM optical filter is used as the bandpass optical filter (4), so as to improve the wavelength flexibility of a device and reduce costs.
(FR) Un laser à semi-conducteur à cavité externe à largeur de raie étroite, comprenant une puce d'amplificateur optique à semi-conducteur (1), un filtre optique en forme de peigne (3), un filtre optique passe-bande (4), une feuille de réflexion partielle (5) et un ensemble de sortie de couplage de faisceau de lumière collimaté, l'ensemble de sortie de couplage de faisceau de lumière collimaté étant composé d'un isolateur (6), une lentille de couplage (7) et une fibre optique de sortie (8); une cavité résonante laser est formée par la feuille de réflexion partielle (5) et une face d'extrémité arrière (1A) de la puce d'amplificateur optique à semi-conducteur (1); le filtre optique en forme de peigne (3) et le filtre optique passe-bande (4) forment un ensemble de filtrage optique à bande étroite à canal unique, la bande passante de celui-ci permettant au laser d'effectuer un effet laser monomode et les autres modes étant efficacement limités; la position relative d'un mode longitudinal sur toute la bande de filtrage peut être commandée par réglage de la température du laser, de telle sorte que la longueur d'onde de sortie et la puissance du laser sont commandées, et le laser est dans l'état de fonctionnement optimal; un étalon est utilisé en tant que filtre optique en forme de peigne (3), de façon à réaliser facilement une sortie de largeur de raie étroite; et un filtre optique DWDM commercial est utilisé en tant que filtre optique passe-bande (4), de façon à améliorer la flexibilité de longueur d'onde d'un dispositif et à réduire les coûts.
(ZH) 一种窄线宽外腔半导体激光器,包括半导体光放大器芯片(1)、梳状滤光器(3)、带通滤光器(4)、部分反射片(5)、准直光束耦合输出组件;其中,准直光束耦合输出组件由隔离器(6)、耦合透镜(7)、输出光纤(8)组成;部分反射片(5)和半导体光放大器芯片(1)后端面(1A)形成激光器谐振腔;梳状滤光器(3)和带通滤光器(4)形成一个单通道的窄带滤光组件,其带宽使得激光器单模激射,而其他模式受到有效抑制,通过调节激光器温度可以控制纵模在整个滤波带中的相对位置,从而控制激光器的输出波长和功率,使得激光器处于最佳工作状态;采用标准具作为梳状滤光器(3),容易实现窄线宽输出;采用商用DWDM滤光片作为带通滤光器(4),提高了器件的波长灵活性,降低了成本。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)