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1. (WO2018040544) PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE AYANT UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE
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N° de publication : WO/2018/040544 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/077226
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 20.03.2017
CIB :
H01L 29/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Déposants :
洛阳鸿泰半导体有限公司 LUOYANG HONGTAI SEMICONDUCTOR CO., LTD [CN/CN]; 中国河南省洛阳市高新开发区滨河路22号留学生创业园张志林 ZHANG Zhilin Overseas Venture Park, No.22,binhe Road, New&High Tech Development Zone Luoyang, Henan 471003, CN
Inventeurs :
王俊 WANG, Jun; CN
邓建伟 DENG, Jianwei; CN
沈征 SHEN, Zheng; CN
Mandataire :
北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING FAR GEN IDEAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY FIRM (ORDINARY PARTNERSHIP); 中国北京市 海淀区蓟门里小区1号楼1间308室张素妍 Zhang Suyan Haidian district thistle door district no. 1 building 1, room 308 Beijing 100191, CN
Données relatives à la priorité :
201610736822.529.08.2016CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE
(FR) PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE AYANT UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE
(ZH) 一种具有三维结构的半导体晶圆
Abrégé :
(EN) The invention relates to a semiconductor wafer. Provided is a semiconductor wafer (1) having a three-dimensional structure, comprising: a semiconductor wafer; a connection layer (2); a conduction layer (3); and a protection layer (4). The protection layer is provided at the conduction layer. The connection layer and the conduction layer are provided at the semiconductor wafer. The connection layer and the conduction layer can be provided at any surface of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer has high practicability, a strict control solution and elaborate design, can be used and implemented easily, achieves cooperation between components and favorable effect, can save energy while meeting requirements of clients, and maximizes performance of a semiconductor.
(FR) L’invention porte sur une plaquette semi-conductrice. L’invention concerne une plaquette semi-conductrice (1) ayant une structure tridimensionnelle, comprenant : une plaquette semi-conductrice ; une couche de connexion (2) ; une couche de conduction (3) ; et une couche de protection (4). La couche de protection est disposée sur la couche de conduction. La couche de connexion et la couche de conduction sont disposées sur la plaquette semi-conductrice. La couche de connexion et la couche de conduction peuvent être disposées sur n’importe quelle surface de la plaquette semi-conductrice. La plaquette semi-conductrice a une haute praticité, une solution de contrôle strict et une conception élaborée, peut être utilisée et mise en œuvre facilement, permet d’obtenir une coopération entre les composants et un effet favorable, peut économiser de l’énergie tout en satisfaisant les exigences des clients, et maximise la performance d’un semi-conducteur.
(ZH) 一种具有三维结构的半导体晶圆(1),涉及一种半导体晶圆,由半导体晶圆、连接层(2)、导通层(3)和保护层(4)构成,导通层上设有保护层,在半导体晶圆上设有连接层和导通层,连接层和导通层设置在半导体晶圆的任意面上;该半导体晶圆实用性强,使用起来比较简单,控制方案严密、协调、效果好、设计巧妙,易于实施,在节能的同时也极大的方便了客户的需求,同时也极大的提高半导体性能。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)