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1. (WO2018040519) APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/040519 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/074449
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 22.02.2017
CIB :
H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : LIN, Zhirong; CN
HUANG, Wenjun; CN
Mandataire : TDIP & PARTNERS; Room 1304-05, A Zhizhen Building, No. 7 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100191, CN
Données relatives à la priorité :
201610799678.X31.08.2016CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种半导体装置及制造方法
Abrégé : front page image
(EN) A semiconductor apparatus and a manufacture method. The apparatus comprises: a circuit device (103) and a cooling fin (105) that are stacked, and a thermal interface material layer (104) located between the circuit device and the cooling fin, wherein a packaging layer (120) surrounds the side wall of the circuit device; a first surface of the thermal interface material layer is thermally coupled to the circuit device and the packaging layer, and a second surface is thermally coupled to the cooling fin. In the solution above, both the packaging layer and the circuit device are thermally coupled to the thermal interface material layer, so that the contact area of the circuit device with the thermal interface material layer is increased. In addition, heat produced on the side wall of the circuit device can be transferred to the thermal interface material layer through the packaging layer and then transferred to the cooling fin, so that the cooling effect of the semiconductor apparatus is improved. By means of the packaging layer surrounding the outer side of the circuit device, the laying area of the thermal interface material layer is increased, the area of a contact surface of the thermal interface material layer is increased, the interfacial stress is reduced, and the component reliability is improved correspondingly.
(FR) L’invention concerne un appareil semi-conducteur et un procédé de fabrication. L’appareil comprend : un dispositif de circuit (103) et une ailette de refroidissement (105) qui sont empilés, et une couche de matériau d’interface thermique (104) située entre le dispositif de circuit et l’ailette de refroidissement, une couche de conditionnement (120) entourant la paroi latérale du dispositif de circuit ; une première surface de la couche de matériau d’interface thermique étant thermiquement couplée au dispositif de circuit et à la couche de conditionnement, et une deuxième surface étant thermiquement couplée à l’ailette de refroidissement. Selon la solution susmentionnée, la couche de conditionnement et le dispositif de circuit sont tous deux couplés thermiquement à la couche de matériau d’interface thermique, de sorte que l’aire de contact du dispositif de circuit avec la couche de matériau d’interface thermique est accrue. De plus, la chaleur produite sur la paroi latérale du dispositif de circuit peut être transférée à la couche de matériau d’interface thermique à travers la couche de conditionnement puis transférée à l’ailette de refroidissement, de sorte que l’effet de refroidissement de l’appareil semi-conducteur est amélioré. Au moyen de la couche de conditionnement entourant le côté extérieur du dispositif de circuit, l’aire de disposition de la couche de matériau d’interface thermique est accrue, l’aire d’une surface de contact de la couche de matériau d’interface thermique est accrue, et la contrainte interfaciale est réduite, et la fiabilité du composant est améliorée en conséquence.
(ZH) 一种半导体装置及制造方法,该装置包括:层叠设置的电路器件(103)及散热片(105),以及位于电路器件及散热片之间的热界面材料层(104);其中,电路器件侧壁上环绕设置有封装层(120);热界面材料层的第一面与电路器件及封装层热耦合,第二面与散热片热耦合。在上述方案中,采用封装层及电路器件均与热界面材料层热耦合,增大了电路器件与热界面材料层的接触面积,同时,电路器件侧壁上产生的热量可以通过封装层传递到热界面材料层上,再传递到散热片上,进而提高半导体装置的散热效果。通过在电路器件的外侧环绕的一层封装层,来增大热界面材料层的铺设面积,增大了热界面材料层接触面的面积,降低了界面应力,并相应的提升了组件信赖性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)