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1. (WO2018040489) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication :    WO/2018/040489    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/071600
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 18.01.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2017.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : ZENG, Mian; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610799421.4 31.08.2016 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种阵列基板及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate and a preparation method therefor. The array substrate comprises a transmission gate structure. The transmission gate structure comprises two, i.e. upper and lower, TFTs; an active layer of the TFT located at a lower side is a first active layer (4), and an active layer of the TFT located at an upper side is a second active layer (8); and the first active layer (4) and the second active layer (8) are respectively arranged at two sides of source and drain electrode layers (7), and share source and drain electrodes. This structure is beneficial for simplifying the preparation process of a transmission gate structure, and improves the preparation success rate.
(FR)La présente invention concerne un substrat matriciel et son procédé de préparation. Le substrat matriciel comprend une structure de grille de transmission. La structure de grille de transmission comprend deux TFT, c'est-à-dire des TFT supérieur et inférieur; une couche active du TFT située au niveau d'un côté inférieur est une première couche active (4), et une couche active du TFT située au niveau d'un côté supérieur est une seconde couche active (8); et la première couche active (4) et la seconde couche active (8) sont respectivement agencées au niveau de deux côtés de couches d'électrode de source et de drain (7), et partagent des électrodes de source et de drain. Cette structure est avantageuse pour simplifier le processus de préparation d'une structure de grille de transmission, et améliore le taux de réussite de préparation.
(ZH)一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括一种传输门结构。传输门结构包括上下两个TFT,位于下侧的TFT的有源层为第一有源层(4),位于上侧的TFT的有源层为第二有源层(8),第一有源层(4)和第二有源层(8)分别设置在源漏极层(7)的两侧,共用源漏电极。这个结构有利于简化传输门结构的制备工艺,提高制备的成功率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)