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1. (WO2018040482) DISPOSITIF COMS BASÉ SUR LE LTPS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/040482 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/071286
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 16.01.2017
CIB :
H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092
Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
石龙强 SHI, Longqiang; CN
Mandataire :
北京聿宏知识产权代理有限公司 YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 西城区宣武门外大街6号庄胜广场第一座西翼713室吴大建/王浩 WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza, 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Données relatives à la priorité :
201610794123.631.08.2016CN
Titre (EN) COMS DEVICE BASED ON LTPS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF COMS BASÉ SUR LE LTPS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种基于LTPS的COMS器件及其制作方法
Abrégé :
(EN) A COMS device based on LTPS and a manufacturing method therefor. The device comprises NMOS type LTPS, wherein a PN junction is arranged in a channel of the NMOS type LTPS to reduce the flow speed of an electron in the channel, so as to avoid a thermoelectric effect. The flow speed of an electron can be reduced, and a thermoelectric effect is avoided.
(FR) L'invention concerne un dispositif COMS basé sur le LTPS et son procédé de fabrication. Le dispositif comprend un LTPS de type NMOS, une jonction PN étant disposée dans un canal du LTPS de type NMOS pour réduire la vitesse d'écoulement d'un électron dans le canal, de manière à éviter un effet thermoélectrique. La vitesse d'écoulement d'un électron peut être réduite, et un effet thermoélectrique est évité.
(ZH) 一种基于LTPS的CMOS器件及其制作方法,该器件包括NMOS型LTPS,其中,在NMOS型LTPS的沟道内设置有用以降低电子在沟道内流通速度的PN结,用以避免热电子效应。可以降低电子流通速度,避免热电子效应。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)