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1. (WO2018040471) CIRCUIT ET PROCÉDÉ D'ATTAQUE D'UN PIXEL AMOLED
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/040471    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/070693
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 10.01.2017
CIB :
G09G 3/3225 (2016.01), G09G 3/3258 (2016.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 9-2, Tangming Road Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : WANG, Limin; (CN)
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU, Dajian / WANG, Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610795545.5 31.08.2016 CN
Titre (EN) CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING AMOLED PIXEL
(FR) CIRCUIT ET PROCÉDÉ D'ATTAQUE D'UN PIXEL AMOLED
(ZH) 一种用于驱动AMOLED像素的电路和方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a circuit and method for driving an AMOLED pixel. The circuit comprises: a first transistor (T1); a second transistor (T2); a grayscale storage capacitor (Cst); and a threshold storage capacitor (Cth) having one end connected to one end of the grayscale storage capacitor (Cst) and the other end connected to a drain of the second transistor (T2) to store a threshold voltage of the second transistor (T2).
(FR)L'invention concerne un circuit et un procédé d'attaque d'un pixel AMOLED. Le circuit comprend : un premier transistor (T1) ; un second transistor (T2) ; un condensateur mémoire d'échelle de gris (Cst) ; et un condensateur mémoire de seuil (Cth) ayant une extrémité connectée à une extrémité du condensateur mémoire d'échelle de gris (Cst) et l'autre extrémité connectée à un drain du second transistor (T2) pour mémoriser une tension de seuil du second transistor (T2).
(ZH)一种用于驱动AMOLED像素的电路和方法,该电路包括第一晶体管(T1);第二晶体管(T2);灰阶存储电容(Cst);阈值存储电容(Cth),其一端连接灰阶存储电容(Cst)的另一端,另一端连接第二晶体管(T2)的漏极,用于存储第二晶体管(T2)的阈值电压。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)